半导体扩产五大核心注意事项
半导体扩产五大核心注意事项1. 技术选型：成熟制程仍是主战场
[*]聚焦28nm及以上制程（占全球需求70%），通过SAQP工艺将DUV设备性能提升至7nm水平
[*]特色工艺突围：车规级芯片（AEC-Q100认证）、CIS（堆叠式CMOS）等差异化赛道
[*]设备验证周期管理：国产设备（如中微刻蚀机）需预留12-18个月验证窗口
2. 资金规划：百亿级投资的生存法则
[*]警惕折旧陷阱：5年设备折旧周期下，需确保产能利用率＞80%才能盈利
[*]政策红利捕捉：关注大基金三期、地方专项债（如合肥200亿元产业基金）申报节点
[*]融资结构优化：采用设备融资租赁+技术授权费分期等组合策略
3. 供应链安全：国产替代的生死时速
[*]关键材料清单：
[*]硅片（沪硅科技12英寸已量产）
[*]光刻胶（南大ArF胶通过中芯验证）
[*]电子特气（华特气体覆盖7nm工艺）
[*]建立3-6个月战略库存，规避地缘政治导致的断供风险
4. 人才战争：工程师比厂房更稀缺
[*]校企合作2.0模式：与微电子学院共建实习基地（如清华-长存联合实验室）
[*]海外人才库建设：重点招募美日韩华裔工程师（需配套签证绿色通道）
[*]技能认证体系：建立内部工艺认证（如台积电的制程工程师分级制度）
5. 政治博弈：在制裁与合规间走钢丝
[*]技术合作白名单：优先与ASML非美系设备、东京电子等非美系供应商合作
[*]产能区域分散：避免单一节点风险（参考三星西安/苏州双基地布局）
[*]合规审查前置：建立出口管制EAR条款筛查机制
实战案例：某12英寸厂扩产教训
[*]错误：盲目采购二手设备导致良率损失30%
[*]教训：新设备必须包含原厂工艺包（如应用材料Centura系统）
[*]补救：追加2亿元改造费用，延后投产9个月
页:
[1]