光刻胶g线、i线、KrF、ArF、EUV的含义
光刻胶的g线、i线、KrF、ArF、EUV是依据曝光光源波长和技术代际划分的半导体光刻胶类型，具体含义及技术特点如下：1. g线光刻胶
[*]波长：436nm
[*]光源：高压汞灯发射的g谱线
[*]应用：适用于早期半导体工艺（800-1200nm制程），主要用于微米级器件制造。
[*]国产化：国内已实现部分量产，但市场份额不足10%。
2. i线光刻胶
[*]波长：365nm
[*]光源：高压汞灯的i谱线
[*]应用：对应350-500nm制程，用于LCD显示面板和部分中低端芯片制造。
[*]国产化：国内企业如晶瑞电材已量产，但整体市占率仍较低。
3. KrF光刻胶
[*]波长：248nm
[*]光源：氟化氪（KrF）准分子激光
[*]应用：支持180-130nm技术节点，用于DRAM等存储器芯片制造。
[*]国产化：处于渗透初期，部分企业完成中试验证。
4. ArF光刻胶
[*]波长：193nm
[*]分类：分为干式（ArF）和浸没式（ArFi），后者通过液体浸没技术提升分辨率。
[*]应用：覆盖130nm至7nm先进制程，如逻辑芯片和高端处理器。
[*]国产化：仅有少数企业突破，如彤程新材的ArF产品进入客户验证阶段。
5. EUV光刻胶
[*]波长：13.5nm（极紫外光）
[*]光源：等离子体激发产生
[*]应用：用于7nm以下尖端制程（如5nm、3nm），是当前最先进的光刻技术。
[*]国产化：尚处实验室阶段，海外仅日本（东京应化、JSR）和韩国（东进世美肯）实现量产。
技术演进与国产替代
[*]技术壁垒：从g线到EUV，技术难度逐级提升，EUV光刻胶需配套掩模、光源、光刻胶等全产业链协同突破。
[*]市场格局：日本企业主导全球高端光刻胶市场（如东京应化、信越化学），国产替代聚焦KrF/ArF中端领域，EUV仍需长期技术积累。
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