干法刻蚀设备分类有哪些
干法刻蚀设备根据工作原理、结构特点和适用材料可分为以下几类：一、按等离子体激发方式分类
[*]电容耦合等离子体刻蚀机（CCP）
[*]通过射频电场在平行电极板间激发等离子体，分为两种模式：
[*]等离子体刻蚀模式（PE）：硅片置于接地极板，以活性化学物质为主，刻蚀呈各向同性。
[*]反应离子刻蚀模式（RIE）：硅片置于电源耦合极板，高能离子定向轰击，实现各向异性刻蚀。
[*]特点：结构简单，成本较低，但离子轰击损伤较高，深宽比提升受限。
[*]电感耦合等离子体刻蚀机（ICP）
[*]通过外部线圈的感应磁场激发高密度等离子体，离子能量与密度可独立调控。
[*]优势：克服了自由基与离子浓度不匹配的问题，适用于高精度、高深宽比结构（如硅通孔）。
[*]电子回旋共振等离子体刻蚀机（ECR）
[*]利用微波与磁场的共振效应产生高密度等离子体，工作气压低，可减少污染。
[*]应用：对损伤敏感的材料（如化合物半导体）。
二、按刻蚀机理分类
[*]物理性刻蚀（溅射刻蚀）
[*]依赖高能离子（如氩气）物理轰击材料表面，方向性强（各向异性），但选择比低且易造成损伤。
[*]化学性刻蚀
[*]利用等离子体活性自由基与材料发生化学反应，生成挥发性副产物。
[*]特点：各向同性，选择性高，但需控制聚合物沉积以实现各向异性。
[*]物理化学性刻蚀（反应离子刻蚀，RIE）
[*]结合化学反应与离子轰击，兼具方向性与选择性，是工业主流技术。
[*]适用场景：氧化硅、难熔金属及高深宽比图形刻蚀6。
三、按应用材料分类
[*]介质刻蚀设备
[*]专用于二氧化硅、氮化硅等介质层，要求高选择比（如相对于硅或光刻胶）。
[*]硅刻蚀设备
[*]针对单晶硅/多晶硅的图形化，需控制侧壁形貌（如FinFET中的鳍片结构）。
[*]金属刻蚀设备
[*]处理铝、铜等互连层，需避免腐蚀残留和电学特性劣化。
四、先进技术延伸
[*]磁性中性线放电刻蚀机（NLD）
通过磁场优化等离子体均匀性，提升碳化硅等耐腐蚀材料的刻蚀效率。
[*]离子束刻蚀机（IBE）
采用独立离子源，可精确控制入射角度，用于光学器件或MEMS加工。
五、核心工艺参数对比
设备类型方向性选择比适用场景
CCP（RIE模式）高（各向异性）中通孔、线条刻蚀
ICP极高高高深宽比结构（>10:1）
纯化学性刻蚀低（各向同性）高大面积均匀去除
NLD高极高碳化硅、氮化镓等硬质材料
发展趋势
当前干法刻蚀以反应离子刻蚀（RIE） 为主导，并持续向高密度等离子体（如ICP、NLD）演进，以满足5nm以下制程对刻蚀均匀性、深宽比及低损伤的需求。介质刻蚀设备因芯片互连层增加而需求显著增长，磁性增强技术成为优化方向。
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