靶材中毒后如何处理？
靶材中毒后的处理需根据中毒程度采取阶梯式解决方案，结合工艺调整、物理清理及化学干预等方法。具体措施如下：⚙️ 一、轻度中毒：工艺参数优化
[*]延长预溅射时间
增加纯氩气（Ar）环境下的溅射时长，利用高能氩离子轰击靶面，逐步剥离表面化合物层（如TiN、氧化物）。通常需将预溅射时间延长30%~50%。
[*]提高溅射功率
短期内将功率密度提升至正常值的1.2~1.5倍（例如从2W/cm²增至3W/cm²），加速化合物层溅射剥离。
[*]调整气体比例
降低反应气体（如N₂、O₂）流量，将O₂/Ar比例控制在1:8~1:15，避免化合物持续生成。
️ 二、中度中毒：物理与机械处理
[*]拆靶表面清理
[*]砂纸抛光：使用2000目以上砂纸打磨靶材表面，去除硬化化合物层（适用于钛、铝等金属靶）。
[*]超声波清洗：将靶材置于酒精或丙酮中超声处理30分钟，清除微孔杂质。
[*]靶材绑定优化
减少靶材拼接缝隙（控制在0.2~0.4mm内），避免放电集中加剧中毒。
三、重度中毒：化学清洗与设备干预
[*]针对性化学清洗
[*]金属靶材：钛靶用5%~10%硝酸溶液浸泡，铝靶用稀盐酸处理（浓度≤5%），时间≤10分钟。
[*]氧化物靶（如ITO）：采用草酸或醋酸溶液去除表面碳化物。
操作需严格控制浓度与时间，避免腐蚀靶基！
[*]设备升级改造
[*]更换电源类型：采用中频（MF）或射频（RF）电源替代直流电源，抑制电荷积累。
[*]闭环气体控制系统：实时监测等离子体发射光谱，自动调节反应气体流量。
🛡️ 四、预防性措施
[*]工艺设计优化
[*]提前测试"迟滞曲线"，将反应气体流量控制在中毒临界点以下。
[*]采用"孪生靶"结构，交替溅射避免单靶持续暴露于反应气体。
[*]设备与环境管理
[*]维持真空腔体泄漏率＜1×10⁻⁹Pa·m³/s，防止空气渗入。
[*]靶材存放于充氩气（Ar）的密封容器中，隔绝水氧。
[*]实时监控参数
溅射电压骤降至200V以下或出现频繁弧光放电时，立即中断工艺并检查靶面状态。
关键提示：中毒处理优先级应为：工艺调整→物理清理→化学清洗。若化学清洗后仍无法恢复性能，需更换新靶材。预防措施的成本远低于中毒后的修复，建议优先优化工艺与设备配置。
页:
[1]