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  • 光刻显影不良现象有哪些
    光刻显影不良现象主要包括以下几种‌: [*]‌显影不足‌:显影不足会导致线条比正常线条要宽,并且在侧面有斜坡。这通常是由于显影时间不足或显影液浓度不够引起的‌。 [*]‌不完全显影‌:不完全显影会在衬底上留下应该在显影中去掉的剩余光刻胶。这可能是由于显影时间不够或显影液温度不够高所致‌。 [*]‌过显影‌:过显 ...
    06744 admin 发表于 2024-12-23 光刻大队
  • 光刻defocus原因
    在摩尔定律的指引下,半导体工艺的发展经历了从0.35微米到0.25微米,0.18微米,0.13微米,直到现在国内大量生产的最先进的工艺0.09微米和0.065微米,同时0.045微米也正处在积极研发试验当中。而国际上英特尔等公司正在将技术节点向0.032微米,0.022微米推进。 半导体集成电路制作过程中,光刻工艺是非常重要的一道工序。它的重要性 ...
    06789 admin 发表于 2024-12-23 光刻大队
  • Descum工艺
    ‌Descum工艺是一种在微电子行业中常用的工艺,主要用于去除光刻胶残留,特别是在光刻胶显影后的晶圆表面上。 这种工艺通过等离子体处理来去除显影后残留的光刻胶,通常在氧等离子体中进行短时间的处理,以避免对衬底材 料造成物理轰击,从而减少衬底损伤。Descum工艺的主要目的是去除显影后留在晶圆表面的残胶,这些残胶虽 ...
    08479 admin 发表于 2024-8-11 光刻大队
  • 光刻工艺的八个步骤
    光刻工艺是微电子制造中最基本的工艺之一,它主要用于制作芯片中的电路图案。 以下是光刻工艺的八个步骤: 1.制备基片:将硅片等基片进行清洗和处理,使其表面平整干净,以便后续的光刻处理。 2.涂覆光刻胶:在基片表面涂覆一层光刻胶,光刻胶的厚度和涂布均匀度对后续的工艺影响很大。 3.预烘烤:将涂覆光刻胶的基片 ...
    08587 admin 发表于 2024-7-27 光刻大队
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