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    <title>半导贴吧 - 光刻大队</title>
    <link>https://www.bdtb6666.com/forum-19-1.html</link>
    <description>Latest 20 threads of 光刻大队</description>
    <copyright>Copyright(C) 半导贴吧</copyright>
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    <lastBuildDate>Thu, 16 Apr 2026 21:33:12 +0000</lastBuildDate>
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      <title>半导贴吧</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/</link>
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    <item>
      <title>光刻胶何时需要洗边?</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-801-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[光刻胶洗边（Edge Bead Removal, EBR）是半导体光刻工艺中的关键步骤，通常在以下情况需要进行：
⏰ 一、洗边的核心时机
[*]‌工艺阶段‌：在光刻胶涂覆完成并经过 ‌软烘烤（Pre-Bake）‌ 后立即进行洗边，以去除晶圆边缘因离心力堆积的过厚光刻胶（即“边胶”）。此时 ...]]></description>
      <category>光刻大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Sat, 07 Jun 2025 02:16:53 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>负胶BCB填充的工艺</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-799-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[以下是负胶BCB（苯并环丁烯）填充工艺的关键流程和技术要点，基于光敏型BCB的特性整理而成：
[hr]‌一、工艺流程‌
[*]基板预处理‌

[*]等离子清洗表面（氧气流量50sccm，功率300W，时间5分钟），去除有机物及微粒。
[*]清洗后硅片/玻璃基板需在22±2℃、湿度 ...]]></description>
      <category>光刻大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Fri, 06 Jun 2025 10:06:16 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>正胶显影液的主要成分</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-694-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[正胶显影液的主要成分
[*]‌碱性成分‌

[*]‌四甲基氢氧化铵（TMAH）‌：最广泛使用的核心成分，质量分数通常为 ‌2.38%‌，具有低金属离子污染特性，适用于集成电路等高精度场景。
[*]早期显影液曾采用 ‌氢氧化钠（NaOH）或氢氧化钾（KOH）‌，但因金属离子污染问题 ...]]></description>
      <category>光刻大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Tue, 22 Apr 2025 00:45:33 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>如何正确储存和使用正胶显影液？</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-693-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[如何正确储存和使用正胶显影液？[hr]一、储存条件与规范
[*]‌温度控制‌

[*]正胶显影液需储存在 ‌4–10℃ 的恒温冰箱‌ 中，未开封时低温可延长有效期至 2 年。开封后建议标注日期，并在 ‌1 个月内‌ 使用完毕。
[*]储存时需避免温度波动，防止冷冻或高温导致性能变 ...]]></description>
      <category>光刻大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Tue, 22 Apr 2025 00:42:01 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>正胶和负胶显影液的差异</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-692-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[正胶和负胶显影液的差异主要体现在以下方面：
[hr]一、化学成分差异
[*]‌正胶显影液‌

[*]主要成分为四甲基氢氧化铵（TMAH）、氢氧化钾（KOH）等碱性水溶液，不含表面活性剂。
[*]部分显影液添加缓冲剂（如磷酸盐）以稳定 pH 值，减少二氧化碳中和反应的影响。
[*]‌ ...]]></description>
      <category>光刻大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Tue, 22 Apr 2025 00:34:15 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>光刻正胶工艺和负胶工艺的区别</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-691-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[光刻正胶工艺和负胶工艺的区别主要体现在以下方面：
一、成像原理
[*]‌正胶工艺‌

[*]曝光区域发生光分解反应，感光剂分解生成可溶性物质（如羧酸），显影时被溶解，保留未曝光区域形成与掩膜版一致的图形。
[*]典型反应：重氮醌（DNQ）在光照下发生 Wolff 重排，生成 ...]]></description>
      <category>光刻大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Tue, 22 Apr 2025 00:27:46 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>半导体光刻返工流程</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-597-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[以下是半导体光刻返工流程的核心步骤与技术要点整理：[hr]一、返工触发条件与判定
[*]‌缺陷检测‌：通过光学检测或电子显微镜发现光刻胶图形中存在线宽偏差、套刻误差、气泡或颗粒污染‌。
[*]‌参数超标判定‌：当关键尺寸（CD）偏移超过±5%或套刻精度（Overlay）偏 ...]]></description>
      <category>光刻大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Mon, 31 Mar 2025 11:42:56 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>光刻机核心工艺参数解析</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-557-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[光刻机核心工艺参数解析光刻机作为半导体制造的核心装备，其性能由多个关键工艺参数共同决定。以下从光学性能、机械精度、工艺控制及EUV专项技术四个维度，系统梳理光刻机的核心参数及其技术内涵。[hr]一、光学性能参数
[*]光刻分辨率‌

[*]‌定义‌：光刻机区分硅片上 ...]]></description>
      <category>光刻大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Wed, 26 Mar 2025 04:49:57 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>SEMI P35-1102：掩模版缺陷检测标准解析</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-532-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[SEMI P35-1102：掩模版缺陷检测标准解析
一、标准概述SEMI P35-1102是针对半导体制造中掩模版缺陷检测的行业规范，旨在通过统一的检测要求和流程，确保掩模版质量，从而提升芯片制造的良品率和可靠性‌。掩模版作为光刻工艺的核心工具，其表面缺陷（如颗粒污染、图形畸 ...]]></description>
      <category>光刻大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Mon, 24 Mar 2025 04:53:52 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>光刻版验版标准及注意事项</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-531-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[光刻版验版标准及注意事项
一、目的为确保光刻版（掩模版）在半导体制造中的工艺稳定性和产品良率，需制定严格的验版标准及操作规范，避免因掩模版缺陷导致批量性质量问题。[hr]二、适用范围本规范适用于光刻版（包括铬版、相移版等）在投入使用前的验收流程，以及使用 ...]]></description>
      <category>光刻大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Mon, 24 Mar 2025 04:48:21 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>光刻工艺控制</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-449-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[光刻工艺控制：半导体制造的“精准之眼”在半导体制造中，光刻工艺（Photolithography）是决定芯片性能、良率和成本的核心环节。随着制程节点不断微缩至5nm、3nm甚至更小，光刻工艺的精度要求已达到原子级别。如何实现纳米级图案的精准转移？工艺控制（Process Control ...]]></description>
      <category>光刻大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Sun, 23 Mar 2025 02:55:14 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>为什么半导体光刻车间使用黄光？</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-448-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[‌为什么半导体光刻车间使用黄光？揭秘晶圆制造的\&quot;暗房法则\&quot;‌在半导体芯片制造的核心环节——光刻工艺车间中，工程师们都在一种特殊的黄色照明环境下工作。这种看似神秘的\&quot;黄光结界\&quot;，实则蕴含着精密的光化学原理与工业智慧。一、光刻胶的\&quot;见光死\&quot;特性光刻工艺的核心材 ...]]></description>
      <category>光刻大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Sun, 23 Mar 2025 02:52:38 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>光刻机光源功率监控</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-447-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[‌半导体光刻机光源功率监控：精密制造的“心脏监护仪”‌
在半导体制造的“皇冠”光刻机中，光源是决定芯片性能的核心要素之一。随着制程节点向3nm、2nm迈进，光刻机对光源稳定性的要求已逼近物理极限。光源功率监控系统，如同光刻机的“心脏监护仪”，直接关系到芯片 ...]]></description>
      <category>光刻大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Sun, 23 Mar 2025 02:50:16 +0000</pubDate>
    </item>
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      <title>光刻工艺流程简述</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-424-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[刻是半导体制造中的关键工艺，用于将电路图案转移到晶圆表面。其基本流程如下：
[*]衬底准备‌
晶圆表面清洗并涂覆一层光刻胶（Photoresist），通常通过旋涂（Spin Coating）形成均匀薄膜。
[*]前烘（Soft Bake）‌
低温加热（90-120℃）去除光刻胶中的溶剂，增强粘附性 ...]]></description>
      <category>光刻大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Sat, 22 Mar 2025 07:01:42 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>光刻掩膜曝光技术原理拆解</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-423-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[‌半导体光刻掩膜曝光技术：芯片电路的“精准印刷术”‌‌核心功能‌
掩膜曝光是光刻的核心步骤，通过光学系统将掩膜版（光罩）上的微纳电路图案，以高精度“投影”到涂有光刻胶的硅片上，形成芯片的电路蓝图。[hr]‌技术原理拆解‌
1️⃣ ‌掩膜版（光罩）‌
[*]‌材料 ...]]></description>
      <category>光刻大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Sat, 22 Mar 2025 06:57:23 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>半导体光刻工艺常见问题及解决方法</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-395-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[半导体光刻是芯片制造的核心工艺之一，其精度直接决定芯片的性能和良率。然而，在纳米级尺度下，光刻工艺面临诸多挑战。本文梳理了光刻环节中的典型问题及其解决方案，为工艺优化提供参考。[hr]一、图形畸变问题‌现象‌：
[*]线条边缘粗糙（Line Edge Roughness, LER） ...]]></description>
      <category>光刻大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Fri, 21 Mar 2025 04:30:18 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>【光刻车间迷惑行为大赏】当严谨科技遇上人类沙雕本能</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-349-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[【光刻车间迷惑行为大赏】当严谨科技遇上人类沙雕本能‌
——论芯片制造行业如何把人逼成行为艺术家各位厂友/吃瓜群众，今天带你们走进全球最烧钱的车间——光刻车间，围观一群年薪百万的工程师如何用生命诠释「科学尽头是玄学」的真谛。[hr]‌Part 1：人类驯服精密仪器 ...]]></description>
      <category>光刻大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Mon, 17 Mar 2025 05:42:27 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>《光刻车间生存指南：如何让硅片在光刻机里&quot;拍出美颜大片&quot;》</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-346-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[各位打工人，今天我们来聊聊半导体界的\&quot;自拍艺术\&quot;——光刻工艺。如果说芯片是科技圈的爱豆，那光刻机就是它的御用摄影师。不过这位摄影师有点难搞，不仅每张照片要拍出纳米级的毛孔细节，还动不动就让你赔三个月工资（毕竟一台机器能买下整个小区）。下面请收好这份《光 ...]]></description>
      <category>光刻大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Mon, 17 Mar 2025 05:26:00 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>光刻的基本原理</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-237-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[光刻技术的基本原理是利用光的特性，通过光源、掩膜、光敏材料和显影等步骤，将图案传输到待加工的基片上。]]></description>
      <category>光刻大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Sun, 02 Mar 2025 09:36:27 +0000</pubDate>
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    <item>
      <title>显影液的主要成分</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-234-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[‌显影液的主要成分包括硫酸、硝酸、苯、甲醇、卤化银、硼酸、对苯二酚等‌。‌

这些成分在显影液中起着不同的作用：


[*]‌显影剂‌：如卤化银和对苯二酚，是显影液中的核心成分，负责在显影过程中将曝光后的银盐还原成金属银，形成影像。
[*]‌保护剂‌：如亚硫酸钠 ...]]></description>
      <category>光刻大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Fri, 28 Feb 2025 01:39:08 +0000</pubDate>
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