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    <title>半导贴吧 - 薄膜大队</title>
    <link>https://www.bdtb6666.com/forum-20-1.html</link>
    <description>Latest 20 threads of 薄膜大队</description>
    <copyright>Copyright(C) 半导贴吧</copyright>
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    <lastBuildDate>Thu, 16 Apr 2026 21:28:53 +0000</lastBuildDate>
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      <title>半导贴吧</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/</link>
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    <item>
      <title>真空环境对镀膜质量的影响有哪些</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-1001-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[真空环境对镀膜质量的影响主要体现在以下几个方面：
1. ‌减少气体分子干扰‌
在真空环境下（通常需达到10⁻³-10⁻⁵Pa），气体分子密度极低，镀膜材料原子或分子能以较大的自由程直线运动至基片表面，避免与残余气体分子碰撞导致的沉积路径偏移‌。若真空度不足，杂质 ...]]></description>
      <category>薄膜大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Thu, 18 Sep 2025 00:46:31 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>MBE（分子束外延）镀膜</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-889-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[MBE（分子束外延）镀膜确实是一种基于直线粒子轨迹的薄膜沉积技术，其核心原理在于超高真空环境下物质的定向直线传输。具体特点如下：
一、直线运动的物理基础
[*]‌超高真空环境‌：MBE要求在 ‌真空度优于10⁻⁸ Pa‌ 的腔体内进行‌。在此条件下：

[*]气体分子平均 ...]]></description>
      <category>薄膜大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Tue, 15 Jul 2025 07:35:56 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>FP激光器腔面膜鼓包会影响性能吗？</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-888-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[]]></description>
      <category>薄膜大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Mon, 14 Jul 2025 04:25:25 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>FP激光器腔面膜鼓包</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-887-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[]]></description>
      <category>薄膜大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Mon, 14 Jul 2025 04:21:14 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>反应磁控溅射镀膜原理</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-881-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[反应磁控溅射镀膜是一种利用磁场约束电子运动路径、提高电离效率的物理气相沉积技术。其核心原理是通过电场与磁场的协同作用，在靶材表面附近形成高密度等离子体区，通过离子轰击靶材溅射出原子，最终在基片上沉积成膜。以下是原理的详细拆解：
[hr]一、等离子体的产生 ...]]></description>
      <category>薄膜大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Fri, 11 Jul 2025 00:38:29 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>QCM怎么监控膜厚</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-698-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[QCM（石英晶体微量平衡法）通过石英晶体的共振频率变化实时监控膜层厚度，具体原理和应用如下：

[*]基本原理‌
QCM的核心是压电石英晶体，其共振频率会随表面沉积物质的质量变化而发生偏移。根据公式 ‌Δf = -k·Δm‌（Δf为频率变化，k为晶体常数，Δm为质量变化） ...]]></description>
      <category>薄膜大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Wed, 23 Apr 2025 04:52:04 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>磁控溅射镀膜原理及工艺</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-672-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[磁控溅射镀膜原理及工艺
一、原理部分
[*]基本溅射机制‌

[*]在真空环境中，工作气体（通常为氩气）电离形成等离子体，氩离子（Ar⁺）被电场加速后轰击靶材表面，使靶材原子或分子脱离并溅射至基片表面形成薄膜‌。
[*]溅射粒子的动能（通常几十到几百eV）决定了薄膜的 ...]]></description>
      <category>薄膜大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Tue, 15 Apr 2025 11:54:10 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>E_Beam蒸镀后不退火的影响分析</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-612-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[E_Beam蒸镀后不退火的影响分析
一、薄膜内部缺陷与应力累积
[*]残留高密度晶格缺陷‌
电子束蒸镀过程中，高能电子轰击可能导致薄膜内部出现晶格畸变、空位及位错等缺陷。若不退火，这些缺陷无法通过原子热运动修复，导致薄膜内部应力集中和结构疏松‌。
[*]残余应力引发 ...]]></description>
      <category>薄膜大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Thu, 03 Apr 2025 03:27:23 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>E_Beam蒸镀后采用快速退火工艺</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-611-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[E_Beam蒸镀后采用快速退火工艺，主要基于以下核心需求和技术优势：一、消除蒸镀过程引入的缺陷与应力
[*]‌释放残余应力‌
E_Beam蒸镀过程中，金属原子高速沉积到基板表面，易产生晶格畸变和内部残余应力。快速退火通过高温热激活使原子重新排列，有效释放应力，避免薄 ...]]></description>
      <category>薄膜大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Thu, 03 Apr 2025 03:26:17 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>半导体腔面镀膜工艺中溢镀与异色问题的分析与对策</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-530-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[半导体腔面镀膜工艺中溢镀与异色问题的分析与对策
引言在半导体激光器、光电子器件制造中，腔面镀膜是提升器件性能的核心工艺之一。通过精确控制薄膜的厚度、折射率和均匀性，可实现光场调控、反射率优化及器件可靠性提升。然而，镀膜过程中出现的溢镀（Coating Overflo ...]]></description>
      <category>薄膜大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Mon, 24 Mar 2025 04:32:03 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>薄膜生长中的本征应力</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-454-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[薄膜生长中的本征应力：从微观机制到实际影响‌[hr]一、什么是本征应力？‌本征应力（Intrinsic Stress）‌是薄膜材料在生长过程中自发产生的内部应力，与其微观结构演变密切相关。与‌热应力‌（由基底与薄膜热膨胀系数差异引起）不同，本征应力源于薄膜自身的生长动力 ...]]></description>
      <category>薄膜大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Sun, 23 Mar 2025 03:16:04 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>半导体薄膜沉积附着力不足的原因及改善措施</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-453-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[半导体薄膜沉积附着力不足的原因及改善措施在半导体制造、光学器件、光伏等领域，薄膜沉积技术（如PVD、CVD、ALD等）是核心工艺之一。然而，薄膜与基底之间的附着力不足可能导致薄膜开裂、剥离或器件失效。本文将从‌原因分析‌和‌改善方法‌两方面探讨这一问题的解决 ...]]></description>
      <category>薄膜大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Sun, 23 Mar 2025 03:13:59 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>半导体薄膜沉积粗糙度异常的原因及改善方法</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-452-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[半导体薄膜沉积粗糙度异常的原因及改善方法在半导体制造中，薄膜沉积工艺（如PVD、CVD、ALD等）的粗糙度控制至关重要。表面粗糙度异常可能导致器件漏电流增加、界面缺陷增多，甚至直接影响芯片性能和可靠性。以下从工艺、设备、材料等方面分析粗糙度异常的原因，并提出 ...]]></description>
      <category>薄膜大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Sun, 23 Mar 2025 03:11:16 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>薄膜沉积针孔缺陷的成因及改善对策</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-451-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[半导体薄膜沉积针孔缺陷的成因及改善对策半导体薄膜沉积过程中出现的针孔缺陷是导致器件失效的重要诱因，这种微观级缺陷会引发漏电流激增、介质击穿等致命性问题。本文从薄膜沉积工艺的本质特性出发，系统分析针孔缺陷的形成机理，并提出具有工程实践价值的解决方案。一 ...]]></description>
      <category>薄膜大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Sun, 23 Mar 2025 03:08:05 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>CVD、PVD、ALD 沉积工艺对比</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-450-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[CVD、PVD、ALD 沉积工艺对比
‌1. 基本原理‌
[*]‌PVD（物理气相沉积）‌：通过物理方法（蒸发、溅射等）在真空环境下将固态材料气化，随后在基体表面沉积成膜。典型方法包括真空蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀膜‌。
[*]‌CVD（化学气相沉积）‌：利用气态前驱体在基体表 ...]]></description>
      <category>薄膜大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Sun, 23 Mar 2025 03:02:40 +0000</pubDate>
    </item>
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      <title>靶材更换</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-439-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[在半导体制造中，溅射靶材（Sputtering Target）的更换周期取决于多种因素，没有统一的时间标准，但通常可根据以下关键指标和场景进行判断：[hr]‌一、影响靶材更换的主要因素‌
[*]靶材材质与类型‌

[*]‌金属靶材‌（如铝、铜、钛）：由于导电性好、溅射速率高，损耗 ...]]></description>
      <category>薄膜大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Sun, 23 Mar 2025 02:03:37 +0000</pubDate>
    </item>
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      <title>半导体腔面镀膜技术</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-428-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[半导体腔面镀膜技术：从基础原理到产业应用半导体激光器、光通信器件和光电传感器等现代光电子器件的核心性能，往往取决于一个看似微小却至关重要的工艺——‌腔面镀膜‌（Facet Coating）。这项技术通过在半导体器件的腔面（发光或受光面）沉积特定功能的薄膜，显著提 ...]]></description>
      <category>薄膜大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Sat, 22 Mar 2025 07:36:50 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>半导体薄膜工艺常见问题及处理方法</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-399-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[在半导体制造中，薄膜工艺（如CVD、PVD、ALD、电镀等）是芯片制造的核心步骤之一。然而，工艺过程中常会遇到各种问题，影响薄膜质量和器件性能。以下是薄膜工艺中的常见问题及其解决方法，供工程师和研究人员参考。[hr]‌1. 薄膜厚度不均匀‌
[*]‌问题表现‌：薄膜表面 ...]]></description>
      <category>薄膜大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Fri, 21 Mar 2025 04:54:20 +0000</pubDate>
    </item>
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      <title>半导体薄膜成膜原理与技术解析</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-379-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[半导体薄膜是集成电路、光电器件和传感器等现代电子器件的核心组成部分。其成膜质量直接影响器件的性能和可靠性。本文将系统解析半导体薄膜成膜的基本原理、主流技术及其应用场景，为读者建立清晰的工艺框架。[hr]一、薄膜成膜的本质薄膜成膜是将材料以原子/分子形式沉 ...]]></description>
      <category>薄膜大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Thu, 20 Mar 2025 04:25:48 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>PECVD工艺：半导体界的&quot;等离子体烧烤摊&quot;，如何把气体烤成纳米级&quot;千层饼&quot;？</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-354-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[PECVD工艺：半导体界的\&quot;等离子体烧烤摊\&quot;，如何把气体烤成纳米级\&quot;千层饼\&quot;？大家好，欢迎来到芯片制造的\&quot;分子烧烤摊\&quot;！今天的主厨是 ‌PECVD（等离子体增强化学气相沉积）‌，它不用炭火和铁板，而是用\&quot;等离子体火焰\&quot;把气体分子烤成纳米级薄膜，像做千层蛋糕一样在硅片上 ...]]></description>
      <category>薄膜大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Mon, 17 Mar 2025 10:43:40 +0000</pubDate>
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