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    <title>半导贴吧 - 刻蚀大队</title>
    <link>https://www.bdtb6666.com/forum-21-1.html</link>
    <description>Latest 20 threads of 刻蚀大队</description>
    <copyright>Copyright(C) 半导贴吧</copyright>
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    <lastBuildDate>Thu, 16 Apr 2026 21:29:26 +0000</lastBuildDate>
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      <title>半导贴吧</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/</link>
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      <title>二流体晶圆清洗机原理</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-5835-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[二流体晶圆清洗机的工作原理主要基于二流体喷淋与高速离心脱水技术，结合自动化控制系统实现高精度清洗。具体流程如下：
二流体喷淋清洗
通过上下喷嘴的往复移动，喷射高压流体（如水或清洗液）与低压气体（如氮气），形成二流体冲击。上下喷嘴流量可调节，以平衡冲击力 ...]]></description>
      <category>刻蚀大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Wed, 31 Dec 2025 23:00:02 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>半导体刻蚀技术的发展历程与技术演进</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-852-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[半导体刻蚀技术的发展历程与技术演进
半导体刻蚀技术作为芯片制造的核心工艺之一，经历了从简单化学腐蚀到原子级精度控制的百年发展历程。以下将从技术起源、关键发展阶段、工艺类型演进以及重要贡献者等维度，全面梳理这一微观\&quot;雕刻\&quot;艺术的历史脉络。
一、技术起源与早 ...]]></description>
      <category>刻蚀大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Fri, 27 Jun 2025 00:46:58 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>干法刻蚀与湿法刻蚀的成本差异</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-835-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[干法刻蚀与湿法刻蚀的成本差异显著，主要体现在设备投入、耗材消耗及环保处理等方面，具体对比如下：
[hr]💰 ‌成本差异详解‌‌
1. 设备投资成本‌
[*]‌干法刻蚀‌：
依赖等离子体腔体、真空系统等高精密设备，单台设备成本通常达数百万美元，占半导体生产线总投资比 ...]]></description>
      <category>刻蚀大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Sat, 21 Jun 2025 00:56:00 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>半导体金刻蚀工艺</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-707-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[半导体金刻蚀工艺是制造高精度电极、互连结构的关键技术，其工艺特点及难点如下：
一、金刻蚀的工艺方法
[*]‌湿法刻蚀‌

[*]使用碘基溶液（如KI/I₂）或王水（HNO₃/HCl混合液）进行化学腐蚀，通过氧化还原反应溶解金层。
[*]优点：成本低、效率高；缺点：各向同性导 ...]]></description>
      <category>刻蚀大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Sat, 26 Apr 2025 01:42:58 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>光刻胶残留对半导体清洗工艺的挑战</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-465-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[光刻胶残留：半导体纳米时代清洗工艺的“隐形杀手”‌在半导体制造中，光刻胶是实现芯片图案化的关键材料，但其残留问题却成为先进制程中令人头疼的“隐形杀手”。随着工艺节点进入3nm甚至更小，光刻胶残留对清洗工艺的挑战已从技术痛点升级为决定良率的核心瓶颈。[hr] ...]]></description>
      <category>刻蚀大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Sun, 23 Mar 2025 05:47:46 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>‌半导体刻蚀工艺中的各向同性与各向异性</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-458-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[‌半导体刻蚀工艺中的各向同性与各向异性‌
‌一、基本定义‌
[*]‌各向同性刻蚀（Isotropic Etching）‌
刻蚀过程在材料表面各个方向上以相同速率进行，形成圆弧状或锥形结构，侧向刻蚀明显‌。
[*]‌各向异性刻蚀（Anisotropic Etching）‌
刻蚀速率在垂直方向远高于 ...]]></description>
      <category>刻蚀大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Sun, 23 Mar 2025 03:33:15 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>湿法刻蚀工艺VS干法刻蚀工艺</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-457-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[以下是干法刻蚀与湿法刻蚀的核心对比及选型建议，综合关键差异与应用场景：
[hr]⚙️ ‌一、核心原理对比‌[hr]📏 ‌二、工艺性能差异‌
[*]精度控制‌

[*]‌干法‌：可实现亚微米级图形（线宽偏差±5nm），侧壁垂直度&gt;85°，适合高深宽比结构（如3D NAND）。
[*]‌湿 ...]]></description>
      <category>刻蚀大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Sun, 23 Mar 2025 03:28:06 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>湿法刻蚀和干法刻蚀对晶圆的伤害程度</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-456-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[在半导体刻蚀工艺中，湿法刻蚀和干法刻蚀对晶圆的伤害程度与工艺特性密切相关，需从以下方面对比分析：1. ‌物理/化学损伤机制‌
[*]湿法刻蚀‌：
通过化学溶液与材料反应实现刻蚀，属于纯化学过程。虽然对晶圆表面物理损伤较小（无高能粒子轰击），但可能因溶液的强腐 ...]]></description>
      <category>刻蚀大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Sun, 23 Mar 2025 03:25:35 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>湿法刻蚀工艺中速率不均匀的原因</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-455-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[半导体湿法刻蚀工艺中速率不均匀的原因可分为以下四类：
[*]材料本征特性差异‌

[*]材料晶体结构不均匀（如多晶硅各区域晶粒取向差异）导致反应活性不同‌
[*]杂质分布差异（局部存在催化剂或抑制剂）改变刻蚀液反应动力学‌
[*]晶向敏感材料在不同晶面呈现腐蚀速率差 ...]]></description>
      <category>刻蚀大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Sun, 23 Mar 2025 03:23:29 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>半导体刻蚀工艺常见问题及处理方法</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-405-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[半导体刻蚀工艺常见问题及处理方法
一、光刻胶相关工艺问题
[*]图形转移缺陷‌

[*]‌现象‌：图形边缘粗糙（LER）、线宽偏差、图形缺失或残留‌。
[*]‌原因‌：曝光剂量/显影参数不匹配、光刻胶膜厚不均、衬底粘附性差‌。
[*]‌处理‌：

[*]优化曝光剂量和显影时间/ ...]]></description>
      <category>刻蚀大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Fri, 21 Mar 2025 06:40:38 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>晶圆去胶工艺：方法、残留原因及解决方案</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-378-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[[hr]晶圆去胶工艺：方法、残留原因及解决方案在半导体制造过程中，光刻胶（Photoresist）的涂覆、曝光和显影是核心步骤，而‌去胶（Descum/Stripping）‌则是确保晶圆表面清洁的关键环节。去胶工艺的质量直接影响后续工艺（如刻蚀、离子注入）的稳定性和器件性能。然而 ...]]></description>
      <category>刻蚀大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Thu, 20 Mar 2025 04:16:20 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>干法刻蚀常用气体指南</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-375-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[干法刻蚀常用气体指南（附中文名称）干法刻蚀是半导体制造中的核心工艺，气体选择直接影响刻蚀速率、选择比和器件精度。以下整理常用气体及其应用场景，标注中文名称，便于快速识别与操作。[hr]一、氟基气体：高活性刻蚀硅基材料
[*]四氟化碳（CF₄）‌

[*]‌用途‌： ...]]></description>
      <category>刻蚀大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Wed, 19 Mar 2025 11:31:01 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>干法刻蚀 vs. 湿法刻蚀</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-374-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[干法刻蚀 vs. 湿法刻蚀：工艺优缺点全面对比
在半导体制造、MEMS（微机电系统）和纳米技术等领域，刻蚀工艺是微纳结构加工的核心步骤之一。干法刻蚀（Dry Etching）和湿法刻蚀（Wet Etching）是两种主流的刻蚀技术，各有其独特的应用场景和局限性。以下从多个维度对比两 ...]]></description>
      <category>刻蚀大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Wed, 19 Mar 2025 11:17:51 +0000</pubDate>
    </item>
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      <title>MESA刻蚀工艺详解</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-373-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[半导体制造中的关键技术：MESA刻蚀工艺详解在半导体器件制造中，‌MESA刻蚀工艺‌（也称台面刻蚀工艺）是一种用于定义器件三维结构、实现器件电学隔离的核心技术。尤其在氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等宽禁带半导体器件中，MESA刻蚀直接关系到器件的性能与可靠性。本文 ...]]></description>
      <category>刻蚀大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Wed, 19 Mar 2025 11:11:39 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>半导体中的&quot;微雕艺术&quot;：ICP-VIA刻蚀工艺揭秘</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-364-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[半导体中的\&quot;微雕艺术\&quot;：ICP-VIA刻蚀工艺揭秘想象一下在头发丝横截面上雕刻出数千条垂直隧道，每条隧道的直径只有人类头发丝的千分之一。这正是半导体行业每天都在进行的\&quot;微雕艺术\&quot;，而ICP-VIA刻蚀工艺就是其中最精密的\&quot;雕刻刀\&quot;。一、什么是VIA？在芯片内部，不同电路层 ...]]></description>
      <category>刻蚀大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Tue, 18 Mar 2025 11:53:47 +0000</pubDate>
    </item>
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      <title>刻蚀工艺：芯片界的&quot;精雕师&quot;，如何给硅片做微雕SPA？</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-347-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[刻蚀工艺：芯片界的\&quot;精雕师\&quot;，如何给硅片做微雕SPA？各位看官，今天咱们来聊聊芯片制造界的\&quot;托尼老师\&quot;——刻蚀工艺。如果说光刻是把电路图案画在硅片上，那刻蚀就是拿着纳米级雕刻刀，按这个图案给硅片做微雕SPA的技术活。不过这位托尼老师有点强迫症，多刻一纳米要骂街 ...]]></description>
      <category>刻蚀大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Mon, 17 Mar 2025 05:31:46 +0000</pubDate>
    </item>
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      <title>兆声波与超声波清洗的区别</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-314-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[一、‌频率范围与定义‌
[*]‌频率范围‌

[*]‌超声波‌：频率通常为 ‌20kHz 至 1GHz‌（部分资料定义为数 MHz 以下）‌。
[*]‌兆声波‌：频率一般 ‌≥1MHz‌，最高可达数十 MHz 或更高‌。
[*]注：部分观点认为兆声波属于超声波的高频分支‌，但也有定义将其独立划 ...]]></description>
      <category>刻蚀大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Fri, 14 Mar 2025 05:02:43 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>半导体清洗技术解析：工艺演进与前沿应用</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-281-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[半导体清洗技术解析：工艺演进与前沿应用半导体清洗作为芯片制造的核心环节，直接决定器件性能与良率。以下从技术分类、应用场景及发展趋势三个维度展开分析：[hr]一、清洗技术分类与原理
湿法清洗‌

[*]‌RCA清洗‌：基于氨水/双氧水（SC1）和盐酸/双氧水（SC2）的化 ...]]></description>
      <category>刻蚀大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Tue, 11 Mar 2025 11:05:10 +0000</pubDate>
    </item>
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      <title>NMP去胶液</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-238-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[‌NMP去胶液的原理‌是利用NMP（N-甲基-2-吡咯烷酮）的溶剂性质，将胶水或粘合剂溶解并去除。NMP是一种极性有机溶剂，具有良好的溶解性和挥发性。当NMP去胶液接触到胶水或粘合剂时，NMP分子能够与胶水或粘合剂中的分子相互作用，打破它们之间的化学键，从而使胶水或粘合 ...]]></description>
      <category>刻蚀大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Mon, 03 Mar 2025 04:41:22 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>刻蚀去胶残留问题（讨论）</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-215-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[干法刻蚀后去胶的主要方法包括化学剥离法、氧化剥离法和氧等离子体清洗法‌。这些方法各有优缺点，适用于不同的应用场景。


[*]‌化学剥离法‌：使用特殊的溶剂如NMP(N-甲基吡咯烷酮)或TMAH(四甲基氨氢氧化物)溶解光刻胶。将化学剥离剂倒入盛有器件芯片的玻璃或石英反 ...]]></description>
      <category>刻蚀大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Wed, 19 Feb 2025 04:33:32 +0000</pubDate>
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