<?xml version="1.0" encoding="utf-8"?>
<rss version="2.0">
  <channel>
    <title>半导贴吧 - 扩散大队</title>
    <link>https://www.bdtb6666.com/forum-36-1.html</link>
    <description>Latest 20 threads of 扩散大队</description>
    <copyright>Copyright(C) 半导贴吧</copyright>
    <generator>Discuz! Board by Comsenz Inc.</generator>
    <lastBuildDate>Thu, 16 Apr 2026 22:50:57 +0000</lastBuildDate>
    <ttl>60</ttl>
    <image>
      <url>https://www.bdtb6666.com/static/image/common/logo_88_31.gif</url>
      <title>半导贴吧</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/</link>
    </image>
    <item>
      <title>‌扩散缺陷分析</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-702-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[一、扩散缺陷的主要类型及成因
[*]‌晶体结构缺陷‌

[*]‌点缺陷‌：包括空位、填隙原子及杂质原子，常由高温扩散过程中原子热运动或杂质掺入导致晶格周期性破坏。
[*]‌线缺陷‌：如刃位错、螺位错，通常由衬底晶格不完整或工艺应力引发，扩散过程中可能沿位错线加速 ...]]></description>
      <category>扩散大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Thu, 24 Apr 2025 11:39:09 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>离子注入与扩散工艺有何区别和联系？</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-695-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[离子注入与扩散工艺是半导体掺杂的两大核心技术，二者在原理、工艺特性和应用场景上存在显著差异，但在特定工艺环节中又存在互补关系。以下是二者的对比分析：
[hr]一、核心区别[hr]二、技术联系与互补性
[*]工艺环节协同‌

[*]‌预沉积与推进‌：扩散工艺中常先用离子 ...]]></description>
      <category>扩散大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Tue, 22 Apr 2025 04:29:32 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>常见的掺杂源类型</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-629-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[以下是半导体扩散工艺中常见的掺杂源类型分类及典型示例：[hr]一、按形态分类
[*]固相掺杂源‌

[*]‌典型物质‌：氮化硼（BN）、五氧化二磷（P₂O₅）、三氧化二砷（As₂O₃）
[*]‌特性‌：以固态形式存在，需通过高温加热释放杂质原子，常用于硼、磷、砷等元素的掺杂 ...]]></description>
      <category>扩散大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Mon, 07 Apr 2025 05:53:43 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>半导体扩散工艺关键参数</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-628-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[半导体扩散工艺的关键参数主要包括以下方面，各参数对扩散效果及器件性能具有直接影响：一、温度参数温度是扩散工艺的核心参数，直接影响杂质原子的扩散速率。根据菲克定律，温度升高会显著增加原子动能，促使杂质原子更快地穿过硅晶格‌。典型扩散温度范围控制在800℃~ ...]]></description>
      <category>扩散大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Mon, 07 Apr 2025 05:35:54 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>半导体扩散工艺的设备有哪些</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-627-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[半导体扩散工艺的核心设备主要包括以下几类：一、主扩散设备
[*]‌卧式扩散炉‌

[*]采用水平放置结构，适用于制作PN结、电阻、电容等元件，具备良好的片间均匀性，广泛应用于分立器件、光电器件等领域‌。
[*]‌立式扩散炉‌

[*]专为200mm/300mm晶圆设计，垂直布局确 ...]]></description>
      <category>扩散大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Mon, 07 Apr 2025 04:55:07 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>半导体扩散工艺</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-626-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[半导体里的\&quot;糖炒栗子\&quot;：聊聊神奇的扩散工艺大家好！今天我们要聊一个听起来很高大上，但本质非常有趣的技术——半导体制造中的扩散工艺。想象一下炒糖栗子时糖分渗入果肉的过程，其实芯片制造中也有类似的神奇操作。一、给硅片\&quot;撒佐料\&quot;的智慧纯净的硅片就像一张白纸，导 ...]]></description>
      <category>扩散大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Mon, 07 Apr 2025 04:45:45 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>&quot;半导贴吧&quot;盛大上线：共创未来科技新风景</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-11-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[尊敬的访客朋友们：
     今天，我们迎来了“半导贴吧”的正式上线，这是一个交流分享、共同成长的平台。在这里，我们汇聚了一群对半导体行业充满热情的伙伴，无论您是生产人员、工程师、研究人员、企业家，抑或是对半导体技术充满好奇的爱好者，我们都欢迎您的加入！
  ...]]></description>
      <category>扩散大队</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Mon, 15 Jul 2024 05:43:48 +0000</pubDate>
    </item>
  </channel>
</rss>