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    <title>半导贴吧 - 前沿技术</title>
    <link>https://www.bdtb6666.com/forum-38-1.html</link>
    <description>Latest 20 threads of 前沿技术</description>
    <copyright>Copyright(C) 半导贴吧</copyright>
    <generator>Discuz! Board by Comsenz Inc.</generator>
    <lastBuildDate>Thu, 16 Apr 2026 22:47:47 +0000</lastBuildDate>
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      <title>半导贴吧</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/</link>
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      <title>提升1000倍！中国半导体研发重要突破</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-5901-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[快科技4月9日消息，国防科技大学前沿交叉学科学院研究团队与中国科学院金属研究所联合攻关，在新型高性能二维半导体晶圆级生长和可控掺杂领域取得重要突破。原子级厚度的二维半导体因迁移率高、带隙可调、栅控能力强，被视为后摩尔时代芯片材料的核心候选。然而，传统硅 ...]]></description>
      <category>前沿技术</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Sat, 11 Apr 2026 01:41:26 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>美国挥舞芯片大棒！15家中国半导体企业拟被纳入管制清单：中芯国际长鑫存储在列</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-5900-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[快科技4月3日消息，据媒体报道，近日，美国两党议员提出提出《硬件技术多边协调管制法案》（MATCH法案）。该法案针对中国15家相关半导体企业（受管制设施）设置全面管制措施。法案明确将中芯国际、华虹、华为、长鑫存储和长江存储等五家中国半导体企业及其子公司、关联 ...]]></description>
      <category>前沿技术</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Tue, 07 Apr 2026 13:04:52 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>全球最大尺寸 国产第三代半导体核心技术碳化硅突破14英寸</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-5897-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[[*]快科技3月29日消息，碳化硅是第三代半导体中的核心，此前美国公司Wolfspeed长期占据技术及市场主要份额，现在国内的天成半导体宣布成功研制出14英寸（350mm）碳化硅单晶材料。
[*]天成半导体此前的记录是12英寸，这次的14英寸碳化硅单晶材料又是依托自主研发设备研 ...]]></description>
      <category>前沿技术</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Wed, 01 Apr 2026 11:12:45 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>北大团队突破存储器物理极限！全球首个晶圆级超薄铋基铁电晶体管问世 🚀</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-5860-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[北大团队突破存储器物理极限！全球首个晶圆级超薄铋基铁电晶体管问世 🚀
在人工智能浪潮席卷全球的今天，芯片性能的每一次跃升都牵动着未来科技的脉搏。北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队，凭借原创性研究，成功研制出全球首个晶圆级超薄、均匀的铋基二维铁电氧 ...]]></description>
      <category>前沿技术</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Sun, 22 Feb 2026 05:26:48 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>我国大尺寸半导体材料实现关键突破：首枚12英寸硅外延产品下线</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-5825-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[出处：快科技
快科技11月21日消息，据“中国电科”官微发文，电科材料下属国盛公司大尺寸硅外延材料产业化项目取得重大进展，其首枚12英寸硅外延产品成功下线，标志着公司在大尺寸半导体外延材料领域实现了关键技术突破。此次新产品的下线，使电科材料完成了硅外延技术 ...]]></description>
      <category>前沿技术</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Wed, 26 Nov 2025 07:32:20 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>北大王玮教授团队在芯片热管理领域取得进展</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-957-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[随着GaN为代表的新一代宽禁带半导体材料的广泛应用，功率器件的性能大幅度提高。然而受限于器件热管理性能，目前GaN功率器件仅能发挥其理论性能的20%~30%。嵌入式微流体冷却技术将微流体集成在器件内部，避免了近乎所有的外部热阻，利用流体的直接对流换热完成热量的高 ...]]></description>
      <category>前沿技术</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Sat, 16 Aug 2025 02:16:01 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>中国手机射频前端发展新态势</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-944-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[出处：半导体行业观察手机于20世纪90年代开始兴起，经历了30年左右的发展，发生了天翻地覆的变化。通讯制式上，从最早的大哥大到2G GSM手机，发展至如今5G手机出货量占比已超50%，通讯质量也从早期的2G数字通话，发展到支持高清视频通话和低延迟应用；交互方式上，从物 ...]]></description>
      <category>前沿技术</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Sun, 10 Aug 2025 01:27:32 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>第四届CCF量子计算大会有哪些重要成果？</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-903-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[第四届CCF量子计算大会于2025年7月21日在成都开幕，以“量子计算融合人工智能赋能千行百业”为主题，聚焦学术交流与产业创新。‌大会发布了14项代表性成果，覆盖企业、高校及科研机构，突出量子技术的产业化突破：

[*]‌企业产品（4项）‌：

[*]成都中微达信科技有限 ...]]></description>
      <category>前沿技术</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Tue, 22 Jul 2025 00:47:11 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>2nm 良率排名出炉！</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-894-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[出处：EETOP

[*]根据KeyBanc Capital Markets的报告，台积电的N2制程目前表现出卓越的领先优势。 截至2025年中期，台积电的N2制程良率大约达到65%，这项数据显著的超越了其主要竞争对手，这使得台积电在全球晶圆代工领域持续保持领导地位。
[*]报告指出，为了巩固并扩 ...]]></description>
      <category>前沿技术</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Thu, 17 Jul 2025 00:40:13 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>世界首次！量子模型架构改写芯片制造未来：突破0和1传统运算</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-870-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[出处：快科技
快科技7月4日消息，众所周知，半导体制造极具挑战性。这是现代工程中最复杂的之一，因为需要极高的精度，并且涉及数百个步骤，例如蚀刻和分层，即使是制造单个芯片也是如此。然而，澳大利亚国家研究机构联邦科学与工业研究组织 （CSIRO） 的研究人员利用量 ...]]></description>
      <category>前沿技术</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Fri, 04 Jul 2025 11:02:35 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>我国自主研发、自主可控！新一代国产通用处理器发布</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-850-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[根据官方发布信息，2025年6月26日，我国自主研发的新一代国产通用处理器‌龙芯3C6000‌在北京正式发布。该处理器实现了技术自主可控的重大突破，标志着国产CPU在性能与安全性方面达到新高度。

图片来源于网络
核心进展如下：
[hr]🔧 一、技术突破与性能指标
[*]‌完全 ...]]></description>
      <category>前沿技术</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Thu, 26 Jun 2025 10:40:27 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>RibbonFET架构</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-846-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[以下是关于英特尔‌RibbonFET架构‌的技术解析，结合最新行业进展整理的核心要点：
[hr]🧬 ‌一、架构本质与核心技术‌
[*]‌全环绕栅极（GAA）晶体管‌
RibbonFET是英特尔对GAA晶体管的专属实现，通过‌垂直堆叠的纳米带状硅沟道‌（厚度约1.5-3nm）取代传统FinFET的鳍 ...]]></description>
      <category>前沿技术</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Wed, 25 Jun 2025 03:36:43 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>氮化镓激光芯片技术突破综述（2025年6月）</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-831-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[氮化镓激光芯片技术突破综述（2025年6月）
2025年中，氮化镓（GaN）激光芯片领域实现多项里程碑式突破，尤其在国产化、性能提升和产业化方面取得显著进展。以下是基于最新成果的系统总结：
一、关键技术性能突破
[*]‌蓝绿光VCSEL高性能芯片‌：中国科学技术大学团队于2 ...]]></description>
      <category>前沿技术</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Fri, 20 Jun 2025 00:39:40 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>华为“四芯片封装”技术新专利曝光：或可挑战台积电！</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-828-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[据Tomshardware报道，华为近期已申请“四芯片”(quad-chiplet)封装设计专利，可能用于下代AI加速器升腾910D(Ascend  910D)。报道称，四芯片组设计与NVIDIA Rubin Ultra架构相似，但华为似乎在开发自有先进封装技术。
若技术成功，华为不仅能与台积电一较高下，还可能追 ...]]></description>
      <category>前沿技术</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Tue, 17 Jun 2025 08:01:39 +0000</pubDate>
    </item>
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      <title>碳化硅功率半导体革命的加速器：国产烧结银崛起</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-821-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[出处：半导体行业观察

从电动汽车的高效驱动系统，到光伏发电中的逆变器，再到5G通讯的核心射频模块，以碳化硅为代表的第三代功率半导体相比传统的硅芯片呈现出更为优越的性能。当新能源汽车续航里程突破1000公里、800V高压快充成为标配，碳化硅功率半导体的革命正在加 ...]]></description>
      <category>前沿技术</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Sat, 14 Jun 2025 02:33:18 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>世界首台！非硅二维材料计算机问世</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-813-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[[*]据科技日报，硅在支撑智能手机、电脑、电动汽车等产品的半导体技术中一直占据着王者地位，但美国宾夕法尼亚州立大学领导的一个研究团队发现，“硅王”的统治地位可能正在受到挑战。该团队在最新一期《自然》杂志上发表了一项突破性成果：他们首次利用二维材料制造 ...]]></description>
      <category>前沿技术</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Thu, 12 Jun 2025 07:05:51 +0000</pubDate>
    </item>
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      <title>央视新闻评小米玄戒 O1：中国内地 3nm 芯片设计的一次突破</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-753-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[出处：IT之家2025-05-19 

导读：小米即将发布自主研发的3nm芯片“玄戒O1”，历时4年投入超135亿，成为中国内地3nm芯片设计的重要突破，跻身全球顶尖芯片企业行列。


IT之家 5 月 19 日消息，小米 15 周年战略新品发布会定档 5 月 22 日晚 7 点，届时将带来全新手机 So ...]]></description>
      <category>前沿技术</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Mon, 19 May 2025 04:23:10 +0000</pubDate>
    </item>
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      <title>AI芯片发展现状与趋势</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-704-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[一、定义与技术分类
AI芯片是专门处理人工智能计算任务的核心模块，分为三类：

[*]‌GPU‌：并行计算能力强，广泛用于深度学习训练；
[*]‌FPGA‌：可编程性强，适用于算法快速迭代场景，如安路科技的产品；
[*]‌ASIC‌：针对特定算法优化，能效比高，代表包括寒武纪 ...]]></description>
      <category>前沿技术</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Fri, 25 Apr 2025 04:40:17 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>2025年半导体技术前沿动态综述</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-670-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[2025年半导体技术前沿动态综述（截至2025年4月15日）
[hr]一、‌先进封装技术：突破摩尔定律的“新战场”‌
随着摩尔定律逼近物理极限，先进封装成为半导体行业提升芯片性能、集成度与能效的核心路径：

[*]‌异构集成与高密度互连‌：贺利氏电子推出面向高性能计算和绿 ...]]></description>
      <category>前沿技术</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Tue, 15 Apr 2025 01:11:46 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>应对台积电、Intel！三星成立1nm研发团队：力求2029年量产</title>
      <link>https://www.bdtb6666.com/thread-657-1-1.html</link>
      <description><![CDATA[2025-04-10 15:57:17  出处：快科技快科技4月10日消息，据媒体报道，三星电子已经成立1nm工艺研发团队，开发其下一代1nm工艺节点，目标是在2029年实现量产。报道称，三星电子半导体研究所已经开始着手研发1nm工艺，部分曾参与2nm工艺研发的人员被抽调至该团队。三星对1n ...]]></description>
      <category>前沿技术</category>
      <author>admin</author>
      <pubDate>Fri, 11 Apr 2025 07:14:40 +0000</pubDate>
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