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刻蚀选择比不够,后面全是连锁反应⚔️

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发表于 半小时前 | 显示全部楼层 |阅读模式
✦ 刻蚀选择比不够,后面全是连锁反应⚔️ ✦
刻得深不算本事,停得准才是。

▪️【为什么】现象场景
通孔刻蚀时对氮化硅选择比只有6:1,过刻15%后底部硅已经起毛。后续填充长不上,良率直接掉两成。追根究底是腔体老化和气体配比漂移。
▪️【怎么办】3条对策
▸ 每批做选择比监控片,SiN/Si选择比低于8:1就调整CHF₃/CF₄比例
▸ 用OES终点检测,信号拐点后再过刻8%~10%,别只凭时间
▸ 腔体每500片做waferless clean,把聚合物清干净,避免侧壁粗糙
▪️【划重点】刻蚀的功夫,一半在刻,一半在停。

💬 你们靠时间还是靠终点检测收刀?
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