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薄膜沉积应力控制的实战笔记

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发表于 5 小时前 | 显示全部楼层 |阅读模式
✦ 薄膜沉积应力控制的实战笔记 ✦
膜是镀上了,晶圆却像薯片一样翘——那是应力在抗议。

▪️【为什么】PECVD/LPCVD薄膜的残余应力直接决定后续光刻对准与产品翘曲。氮化硅高拉应力、氧化硅高压应力,多层膜叠加稍有不慎就超出-100~100MPa的安全区。
▪️【怎么办】
▸ 1. 调NH3/SiH2比(PECVD氮化硅)拉低拉应力,比每变0.1应力漂移约50MPa;
▸ 2. 用多层复合膜:氮化硅+氧化硅交替,正负应力互相抵消;
▸ 3. 每批用Stoney公式测曲率法监控应力,趋势板画出来,超±50MPa预警。
▪️【划重点】薄膜应力的本质是“配方+功率+温度”的合力,趋势监控比事后救火便宜得多。

💬 你们最头疼的是哪层膜的应力?氮化硅还是多晶硅?评论区见
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