刻蚀CD均匀性怎么救

生产队队长

✦ 刻蚀CD均匀性怎么救 ✦

同一片晶圆，中心CD 45nm、边缘48nm——边缘就是刻蚀的“事故高发区”。

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▪️【为什么】等离子刻蚀的CD均匀性受腔内等离子体分布影响极大。边缘过刻蚀会导致线宽超差甚至栅氧化层损伤，良率问题往往在测试端才暴露。
▪️【怎么办】
▸ 1. 调整腔压与功率比，低压高功率时等离子体更均匀，但别牺牲刻蚀速率；
▸ 2. 定期做腔体clean，聚合物残留积累会让径向均匀性逐日恶化；
▸ 3. 在边缘增加focus ring修正，每季校准一次，别等换腔体才想起来。
▪️【划重点】CD均匀性 = 等离子体分布 + 腔体洁净度 + 边缘修正，三个旋钮一起拧。

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💬 你们的刻蚀腔多久clean一次？聚合物残留翻过车吗？👇