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CMP研磨:平坦度与缺陷的平衡术

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发表于 5 小时前 | 显示全部楼层 |阅读模式
✦ CMP研磨:平坦度与缺陷的平衡术 ✦
抛过头是凹陷,抛不够是台阶——CMP永远在走钢丝。

▪️【为什么】化学机械抛光的核心矛盾:去除速率与碟形凹陷(Dishing)。STI/金属层CMP抛过头,金属线凹陷直接断路。
▪️【怎么办】
▸ 1. 按图形密度分区预估Dishing量,高密度区多抛、低密度区假栅保护;
▸ 2. 控制抛光压力与转台转速,压力降一档、时间加一档,凹陷显著减少;
▸ 3. 每批测去除速率+平坦度+颗粒数三项,Pad寿命到期强制更换别续命。
▪️【划重点】CMP没有万能配方,只有“压力-时间-Pad状态”的动态平衡,Pad寿命是隐藏Boss。

💬 你们的Pad用多久换一次?碟形凹陷最严重在哪一层?👇
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