刻蚀大队 今日: 0|主题: 31|排名: 12 

干法刻蚀后去胶的主要方法包括化学剥离法、氧化剥离法和氧等离子体清洗法‌。这些方法各有优缺点，适用于不同的应用场景。 [*]‌化学剥离法‌：使用特殊的溶剂如NMP(N-甲基吡咯烷酮)或TMAH(四甲基氨氢氧化物)溶解光刻胶。将化学剥离剂倒入盛有器件芯片的玻璃或石英反应槽中，加热至溶剂的沸点，浸泡器件芯片。光刻胶会在 ...

发射光谱法（OpticalEmission Spectroscopy，OES），是一种在干法刻蚀终点检测系统中广泛使用的技术。它的工作原理基于物质在被激发后发出的光谱的分析。在等离子体刻蚀过程中，被刻蚀的物质会被激发并发出光谱，这些光谱可以被分析以提供关于刻蚀过程的有用信息。在干法刻蚀过程中，OES可以用来监测和控制刻蚀的深度和速率 ...

刻蚀工艺是半导体制造工艺中的一个重要步骤，下面是对刻蚀工艺的详细解释： 一、刻蚀工艺的基本概念 刻蚀，英文为Etch，它是半导体制造工艺、微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。它是与光刻相联系的图形化处理的一种主要工艺。所谓刻蚀，实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝 ...

一、刻蚀背氦的定义刻蚀背氦是一种特殊的刻蚀技术，它是在刻蚀过程中使用氦气作为背景气体，以提高刻蚀的效率和精度。刻蚀背氦通常应用于半导体制造工艺、微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中。二、刻蚀背氦的原理刻蚀背氦的原理是利用氦气的低原子量和高扩散性，使其在刻蚀过程中填充到微小的凹槽和孔洞中，以提高刻蚀的效 ...

‌芯片制造中常用的溶液主要包括酸、碱和溶剂。‌ 在芯片制造过程中，酸类溶液主要用于刻蚀和清洗。 例如： 氢氟酸（HF）‌：用于刻蚀二氧化硅（SiO2）以及清洗石英器皿‌。 ‌盐酸（HCl）‌：用于湿法清洗化学品，是2号标准液的一部分，用来去除硅中的重金属元素‌。 ‌硫酸（H2SO4）‌：用于清洗硅片，特别是“piranh ...

刻蚀长草现象的原因主要包括副产物产生“微掩膜”效应、钝化能力不足、以及刻蚀条件 的不当设置。‌ 副产物产生“微掩膜”效应‌：在刻蚀过程中，由于某些材料（如GaAs外延片）的刻蚀副产 物会在基片上形成粘附，产生“微掩膜”效应，这会影响刻蚀的结果，导致长草现象的出 现。通过调整射频（RF）功率，可以增大等离子 ...

在半导体清洗过程中，使用的治具材料主要包括PFA、PEEK、PP、PVDF等。这些材料因其优异的化 学稳定性、耐高温性、耐腐蚀性等特点，在半导体清洗领域中扮演着重要的角色。 ‌PFA‌（聚四氟乙烯）是一种高性能的氟塑料，具有优异的化学稳定性、耐高温性和低摩擦系数，被广 泛应用于半导体清洗中的输送管道、滤芯、喷头、阀 ...

contactor--开关、接触器；dielectric是电介质。前者在电源的两个极之间起到导通断开的控制作用；后者是起到阻止电的导通性。

一、mesa台阶的制作过程mesa台阶的制作过程包括黄光光刻、电感耦合等离子体（ICP）刻蚀和去除光刻胶等步骤。首先，通过黄光光刻将光刻胶覆盖在芯片表面，然后使用ICP刻蚀技术将光刻胶和芯片表面的材料一起刻蚀，形成mesa台阶。最后，去除光刻胶，mesa台阶就制作完成了。二、mesa台阶的作用mesa台阶的上方是p-GaN，下方是ll- ...