2025年4月半导体行业最新动态

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2025年4月半导体行业最新动态
一、‌先进制程与封装技术加速迭代‌

• ‌2nm及以下工艺进入量产阶段‌：台积电、三星和英特尔均计划在2025年下半年量产2nm及更先进制程，其中台积电转向GAA架构并引入纳米片晶体管技术，三星则推出面向AI、高性能计算等场景的SF2系列工艺。
• ‌HBM4内存提前投产‌：SK海力士和三星将HBM4量产时间提前至2025年下半年，采用台积电3nm制程，堆栈层数增至16层，数据传输速率达6.4GT/s，主要服务于英伟达、微软等客户。
• ‌先进封装产能扩张‌：台积电计划将CoWoS封装基板面积扩大至100×100mm，支持12个HBM4堆叠；长电科技上海临港车规级芯片制造基地预计年内建成。
  

二、‌第三代半导体与材料创新‌

• ‌氮化镓、碳化硅应用深化‌：芯导科技在氮化镓功率器件领域实现量产，车规级芯片加速布局；化合物半导体（如碳化硅）因高频、耐高压等特性，在新能源、自动驾驶领域渗透率提升。
• ‌半导体硅片国产替代提速‌：2024年全球硅片市场受地缘政治扰动，出货量同比下降2.7%，但国产厂商在技术迭代与替代国际大厂（如日本信越）的竞赛中取得进展。
• ‌玻璃基板技术突破‌：日本电气玻璃计划2026年前出货AI芯片用大尺寸玻璃基板样品，提升芯片散热与性能。
  

三、‌设备与区域投资动态‌

• ‌设备市场持续增长‌：2024年全球半导体制造设备出货金额达1171亿美元，同比增长10%；江苏路芯掩膜版项目一期计划2025年下半年试产40nm产品。
• ‌区域研发中心建设‌：东京电子在印度班加罗尔设立首个研发基地，预计2025年夏季投入使用。
  

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以上动态综合技术迭代、材料突破、产能布局及市场趋势，展现半导体行业在技术创新与全球供需调整中的活跃态势。