荷兰ASML：“中国的EUV光刻机还有很长的路要走！”

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出处：千羽杂谈
导读：中国在半导体光刻设备领域持续突破，中科院研发的固态DUV激光技术已接近商用标准，华为工厂正测试自主研发的EUV系统，目标2026年量产。ASML承认中国长期投入，但差距仍存，美国遏制或加速中国技术突破。

6月30日，韩国媒体《今日财经》发表文章称，垄断全球半导体EUV光刻设备的荷兰ASML表示，中国长期以来一直在研发半导体光刻设备。

ASML首席执行官（CEO）克里斯托夫·富凯近日在接受采访时表示，“中国开发光刻设备已经有很长时间了。”他表示，中国要赶上ASML的EUV光刻设备技术还有很长的路要走，但美国的监管正在促进中国努力取得突破，美国应该专注于技术创新，而不是遏制竞争对手。

此前，中国宣布成功研发出由中科院主导的固态深紫外（DUV）激光技术，可发射与主流DUV曝光波长相匹配的193纳米相干光，理论上可支持3纳米半导体工艺。

据称，该技术的平均激光功率为70mW，频率为6kHz，可实现商用光谱纯度，显著简化光刻系统架构，并降低能耗和对惰性气体的依赖。

该固态DUV光源技术在光谱纯度方面与商用标准相差无几，但输出功率和频率却低得多，据悉该技术与ASML目前的水平仍有明显差距，频率约为对手的2/3，输出功率仅为对手的0.7%。

有消息称，中国正在华为工厂测试自主研发的EUV光刻系统，目标是2025年第三季度试生产，2026年量产。