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椭偏100nm、C-V差一截?先弄清你测的是什么 📏

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发表于 昨天 08:36 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 生产队队长 于 2026-11-7 08:50 编辑

✦ 椭偏100nm、C-V差一截?先弄清你测的是什么 📏 ✦
数据对不上,先问一句:两种方法量的是同一个东西吗?



▪️【为什么】氧化膜厚度对不上,椭偏测 100nm、C-V 却差一截。两种方法原理不同:椭偏测光学厚度,受折射率影响;C-V 测电学厚度,和氧化层致密度、界面态相关。
▸ 核膜层模型:椭偏拟合折射率设错,厚度直接失真;
▸ 看工艺本质:湿氧和干氧生成的 SiO2 致密度不同,偏差天然存在;
▸ 查背面接触:背面接触不良会让 C-V 曲线整体变形。
▪️【划重点】同一片用两种方法长期对照,建立自己的偏差基线。


💬 你们产线以哪种测法为准?评论区见 👇

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