离子注入时晶圆要歪 7 度，不然离子会抄近路

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✦ 离子注入时晶圆要歪 7 度，不然离子会抄近路 ✦

制造设备 · 离子注入 ｜ 阅读约 60 秒

先抛个问题：把磷离子加速到 100keV 打进硅片，什么都不做的话，它扎进去会比算出来的深好几倍。因为它找到了空巷子。

🧩 单晶硅是一排排走廊 硅原子在晶格里排得极整齐，某些方向上原子间的空隙首尾相接，连成几乎无阻挡的通道。离子正好平行入射，就很少撞上原子核，只在通道里被电子轻拖，一路滑得很深。同能量下射程能到随机方向的 2~5 倍。

⚙️ 歪 7 度，再转 22 度 解法很朴素：晶圆台倾斜 7 度，再绕垂直轴扭转 22 度。7 度让离子偏离主通道，22 度是躲开另外几个等效晶向——硅对称性太好，只歪一个方向，换个方位又对上了。机台上的 tilt 7°、twist 22° 不是随手填的。

📉 歪了也有代价 倾斜入射带来阴影：图形有高度时一侧被挡、另一侧偏多，注入就不对称。高深宽比要减小 tilt，甚至四个方向各转 90 度分次摊平。反过来做深阱时，工程师会故意留一点沟道，让离子打得更深。

🎯 一句话带走 晶格有近路，所以晶圆必须先站歪。

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