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🌱 MOCVD炉台起雾珠?外延均匀性翻盘实录

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发表于 昨天 07:44 | 显示全部楼层 |阅读模式
✦ 🌱 MOCVD炉台起雾珠?外延均匀性翻盘实录 ✦
外延层的每一纳米,都决定着器件的起点。

▪️【为什么】某批GaAs外延片map图呈典型“锅边”分布:边缘厚度比中心厚6%,反射率监控同步异常,器件击穿电压离散加大。
厚度不均匀,后续光刻注入全都跟着遭殃。
▪️【怎么办】
▸ 校准生长温度与V/III比,边缘过厚优先调转盘转速改善径向流场
▸ 检查喷头与石墨盘间距,前驱体流量配比用DOE矩阵重新收敛
▸ 每炉插监控片,厚度均匀性±3%以内才放行,超标炉次全数隔离
▪️【划重点】外延均匀性是设计、设备、监控三道闸,缺一不可。

💬 你的外延map图长什么样?边缘厚还是中心厚?
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