🔦 套刻偏移3nm从哪来？热变形实战复盘

生产队队长

✦ 🔦 套刻偏移3nm从哪来？热变形实战复盘 ✦

纳米级的错位，是所有物理量共同投的票。

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▪️【为什么】新品overlay map出现线性漂移，套刻精度从2.5nm恶化到5nm以上，Wafer边缘尤甚，方向性极强。
遇到套刻恶化，最忌上来就改工艺配方。
▪️【怎么办】
▸ 先做WEC逐片校正，把平移、旋转分量分开喂给曝光机
▸ 排查涂胶热板温度均匀性与前烘时间，胶的应力会让晶圆翘曲
▸ 固化PAB/PEB参数后跑map去嵌合验证，确认非机台漂移再动配方
▪️【划重点】套刻问题先查“形”，再查“机”，最后才动“配方”。

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