查看: 9|回复: 0

🪞 CMP碟陷压不住?压力与抛光液配比实战

[复制链接]
发表于 昨天 07:47 | 显示全部楼层 |阅读模式
✦ 🪞 CMP碟陷压不住?压力与抛光液配比实战 ✦
抛光是追平纳米级高低差,也是一场化学博弈。

▪️【为什么】STI CMP后碟陷超过60nm,后续光刻焦深吃紧,深度大的图形区域尤其严重。
碟陷是机械与化学共同作用的产物,单动一个变量往往按下葫芦浮起瓢。
▪️【怎么办】
▸ 降低研磨头压力并启用多区压力调节,大图形区域适当上浮
▸ 调整抛光液固含量与流量,选择比靠slurry化学,不靠蛮力
▸ 缩短精抛时间、软垫收尾,把去除速率摊到两段完成
▪️【划重点】CMP是机械加化学的双变量,碟陷先降压力再谈配方。

💬 你处理过最难的碟陷case是什么图形?
您需要登录后才可以回帖 登录 | 立即注册

本版积分规则

关注公众号
免责声明|Archiver|手机版|小黑屋|半导贴吧

相关侵权、举报、投诉及建议等,请发 E-mail:1152577621@qq.com

Powered by Discuz! X5.0 © 2001-2026 Discuz! Team.|渝ICP备2024033348号|渝ICP备2024033348号-1

在本版发帖
关注公众号
QQ客服返回顶部