外延生长速率与均匀性如何兼得

生产队队长

✦ 外延生长速率与均匀性如何兼得 ✦

速率上去了，片内均匀性却崩了——外延工艺的永恒博弈。

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▪️【为什么】外延片客户最在意片内厚度均匀性（σ<3%）和掺杂浓度梯度。很多班组一味提高反应温度抢产能，结果晶圆边缘生长速率偏快，成片后磨边都救不回来。
▪️【怎么办】
▸ 1. 固定温度窗口（1100~1150℃）后优先调气体分配盘结构，而非硬抬温度；
▸ 2. 用SiH2Cl2替代SiCl4做低温外延，生长速率下降但均匀性显著改善；
▸ 3. 每批首片加测四点探针方块电阻，片内5点取样，漂移超±10%立即停线排查。
▪️【划重点】外延调参先动气流再动温度，均匀性是“设计”出来的，不是“抢救”出来的。

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💬 你的产线做外延用的是常压还是减压？均匀性踩过哪些坑？欢迎交流