前沿技术 今日: 0|主题: 42|排名: 21 

一、定义与技术分类 AI芯片是专门处理人工智能计算任务的核心模块，分为三类： [*]‌GPU‌：并行计算能力强，广泛用于深度学习训练； [*]‌FPGA‌：可编程性强，适用于算法快速迭代场景，如安路科技的产品； [*]‌ASIC‌：针对特定算法优化，能效比高，代表包括寒武纪的思元系列和华为昇腾芯片。 二、核心技术突破 [*]‌Ch ...

2025年半导体技术前沿动态综述（截至2025年4月15日） [hr]一、‌先进封装技术：突破摩尔定律的“新战场”‌ 随着摩尔定律逼近物理极限，先进封装成为半导体行业提升芯片性能、集成度与能效的核心路径： [*]‌异构集成与高密度互连‌：贺利氏电子推出面向高性能计算和绿色半导体的封装材料系统，通过三维堆叠和微凸块技术实 ...

2025-04-10 15:57:17 出处：快科技快科技4月10日消息，据媒体报道，三星电子已经成立1nm工艺研发团队，开发其下一代1nm工艺节点，目标是在2029年实现量产。报道称，三星电子半导体研究所已经开始着手研发1nm工艺，部分曾参与2nm工艺研发的人员被抽调至该团队。三星对1nm工艺寄予厚望，希望借此在高端芯片市场取得领先地位 ...

半导体技术是现代科技发展的基石，近年来在多个领域迎来突破性进展，推动着人工智能、高性能计算、物联网等产业的变革。以下是近期值得关注的技术前沿方向：一、先进制程工艺逼近物理极限随着摩尔定律逐渐放缓，3nm及以下节点的竞争进入白热化。台积电的N3E工艺（3nm增强版）已进入量产阶段，良率提升显著，为苹果A17 Pro、 ...

2025-04-03 00:20:52 出处：快科技 快科技4月3日消息，2日深夜，复旦大学宣布，复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室周鹏、包文中联合团队成功研制全球首款基于二维半导体材料的32位RISC-V架构微处理器“无极（WUJI）”，中国二维半导体芯片取得里程碑式突破。该成果突破二维半导体电子学工程化瓶颈，首次实现5900个晶体 ...

文章摘要 文章分析了以金刚石、氧化镓、氮化铝等为代表的超宽禁带半导体材料的主要特点及战略需求，系统梳理了国内外超宽禁带半导体材料的主要技术和产业进展，提出了当前待突破的关键技术问题和发展建议，以期为后续中国超宽禁带半导体材料的发展提供参考。 文章速览 超宽禁带半导体材料凭借大禁带宽度、高击穿电场、低能 ...

在SEMICON China 2025展会期间，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”，股票代码“688012.SH”）宣布其自主研发的12英寸晶圆边缘刻蚀设备Primo Halona™正式发布。中微公司此款刻蚀设备的问世，实现了在等离子体刻蚀技术领域的又一次突破创新，标志着公司向关键工艺全面覆盖的目标再进一步，也为公司 ...

2025年半导体前沿技术全景：材料革命、封装迭代与制程突破‌[hr]‌一、超宽禁带半导体：氧化镓开启第四代半导体时代‌ [*]‌8英寸氧化镓晶圆衬底全球首发‌ 镓仁半导体突破大尺寸氧化镓单晶生长技术，推出全球首款8英寸氧化镓晶圆衬底，其击穿电场强度达8MV/cm，远超SiC和GaN。该技术可兼容现有8英寸硅基产线，显著降低产业 ...

3月17日电 半导体量子点具有量子产率高、发射光谱窄、兼容溶液工艺等优点，在光电材料与器件领域展现出广阔的应用前景和巨大的经济价值，相关研究获得了2023年诺贝尔化学奖。与传统的II-VI族、III-V族量子点（如CdSe、CdS、InP等）相比，钙钛矿量子点具有成本低、合成工艺简单、光谱连续可调等独特的优势，近年来备受关注 ...

六方氮化硼（hBN）是重要的超宽禁带半导体材料，具有类石墨烯层状结构和独特的光电特性，在深紫外发光器件和探测器领域具有重要的应用。早在2007年，科研人员就开展了对hBN材料激子发光特性的实验研究与理论分析，相关成果发表在Science期刊上（Science, 2007, 317: 932-934），并通过阴极发光（CL）测试首次证明了hBN材料 ...