北大王玮教授团队在芯片热管理领域取得进展
随着GaN为代表的新一代宽禁带半导体材料的广泛应用，功率器件的性能大幅度提高。然而受限于器件热管理性能，目前GaN功率器件仅能发挥其理论性能的20%~30%。嵌入式微流体冷却技术将微流体集成在器件内部，避免了近乎所有的外部热阻，利用流体的直接对流换热完成热量的高效运输，因而具有强大的散热能力，被认为是未来最有可 ...
中国手机射频前端发展新态势
出处：半导体行业观察手机于20世纪90年代开始兴起，经历了30年左右的发展，发生了天翻地覆的变化。通讯制式上，从最早的大哥大到2G GSM手机，发展至如今5G手机出货量占比已超50%，通讯质量也从早期的2G数字通话，发展到支持高清视频通话和低延迟应用；交互方式上，从物理按键发展到触控屏再到折叠屏；功能上，早期的手机只 ...
第四届CCF量子计算大会有哪些重要成果？
第四届CCF量子计算大会于2025年7月21日在成都开幕，以“量子计算融合人工智能赋能千行百业”为主题，聚焦学术交流与产业创新。大会发布了14项代表性成果，覆盖企业、高校及科研机构，突出量子技术的产业化突破：
[*]企业产品（4项）：
[*]成都中微达信科技有限公司的常温量子计算测控系统，适配多种量子体系，支持 ...
2nm 良率排名出炉！
出处：EETOP
[*]根据KeyBanc Capital Markets的报告，台积电的N2制程目前表现出卓越的领先优势。 截至2025年中期，台积电的N2制程良率大约达到65%，这项数据显著的超越了其主要竞争对手，这使得台积电在全球晶圆代工领域持续保持领导地位。
[*]报告指出，为了巩固并扩大这一领先优势，台积电正持续投入于N2制程的良率提升 ...
世界首次！量子模型架构改写芯片制造未来：突破0和1传统运算
出处：快科技
快科技7月4日消息，众所周知，半导体制造极具挑战性。这是现代工程中最复杂的之一，因为需要极高的精度，并且涉及数百个步骤，例如蚀刻和分层，即使是制造单个芯片也是如此。然而，澳大利亚国家研究机构联邦科学与工业研究组织 （CSIRO） 的研究人员利用量子机器学习制造半导体，这在世界上尚属首次。他们的研 ...
我国自主研发、自主可控！新一代国产通用处理器发布
根据官方发布信息，2025年6月26日，我国自主研发的新一代国产通用处理器龙芯3C6000在北京正式发布。该处理器实现了技术自主可控的重大突破，标志着国产CPU在性能与安全性方面达到新高度。
图片来源于网络
核心进展如下：
[hr]🔧 一、技术突破与性能指标
[*]完全自主架构
龙芯3C6000采用我国自主设计的指令系统龙 ...
RibbonFET架构
以下是关于英特尔RibbonFET架构的技术解析，结合最新行业进展整理的核心要点：
[hr]🧬 一、架构本质与核心技术
[*]全环绕栅极（GAA）晶体管
RibbonFET是英特尔对GAA晶体管的专属实现，通过垂直堆叠的纳米带状硅沟道（厚度约1.5-3nm）取代传统FinFET的鳍片结构，实现栅极对沟道四面包裹，显著增强电流控制能 ...
氮化镓激光芯片技术突破综述（2025年6月）
氮化镓激光芯片技术突破综述（2025年6月）
2025年中，氮化镓（GaN）激光芯片领域实现多项里程碑式突破，尤其在国产化、性能提升和产业化方面取得显著进展。以下是基于最新成果的系统总结：
一、关键技术性能突破
[*]蓝绿光VCSEL高性能芯片：中国科学技术大学团队于2025年6月19日成功研制氮化镓蓝绿光垂直腔面发射激光器 ...
华为“四芯片封装”技术新专利曝光：或可挑战台积电！
据Tomshardware报道，华为近期已申请“四芯片”(quad-chiplet)封装设计专利，可能用于下代AI加速器升腾910D(Ascend 910D)。报道称，四芯片组设计与NVIDIA Rubin Ultra架构相似，但华为似乎在开发自有先进封装技术。
若技术成功，华为不仅能与台积电一较高下，还可能追上NVIDIA的AI GPU。虽然文件未明确指出是升腾910D，但 ...
碳化硅功率半导体革命的加速器：国产烧结银崛起
出处：半导体行业观察
从电动汽车的高效驱动系统，到光伏发电中的逆变器，再到5G通讯的核心射频模块，以碳化硅为代表的第三代功率半导体相比传统的硅芯片呈现出更为优越的性能。当新能源汽车续航里程突破1000公里、800V高压快充成为标配，碳化硅功率半导体的革命正在加速到来。而更高的功率密度、更优的散热能力、更强的可 ...
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