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第四届CCF量子计算大会于2025年7月21日在成都开幕，以“量子计算融合人工智能赋能千行百业”为主题，聚焦学术交流与产业创新。‌大会发布了14项代表性成果，覆盖企业、高校及科研机构，突出量子技术的产业化突破： [*]‌企业产品（4项）‌： [*]成都中微达信科技有限公司的常温量子计算测控系统，适配多种量子体系，支持 ...

出处：EETOP [*]根据KeyBanc Capital Markets的报告，台积电的N2制程目前表现出卓越的领先优势。 截至2025年中期，台积电的N2制程良率大约达到65%，这项数据显著的超越了其主要竞争对手，这使得台积电在全球晶圆代工领域持续保持领导地位。 [*]报告指出，为了巩固并扩大这一领先优势，台积电正持续投入于N2制程的良率提升 ...

出处：快科技 快科技7月4日消息，众所周知，半导体制造极具挑战性。这是现代工程中最复杂的之一，因为需要极高的精度，并且涉及数百个步骤，例如蚀刻和分层，即使是制造单个芯片也是如此。然而，澳大利亚国家研究机构联邦科学与工业研究组织 （CSIRO） 的研究人员利用量子机器学习制造半导体，这在世界上尚属首次。他们的研 ...

根据官方发布信息，2025年6月26日，我国自主研发的新一代国产通用处理器‌龙芯3C6000‌在北京正式发布。该处理器实现了技术自主可控的重大突破，标志着国产CPU在性能与安全性方面达到新高度。 图片来源于网络 核心进展如下： [hr]🔧 一、技术突破与性能指标 [*]‌完全自主架构‌ 龙芯3C6000采用我国自主设计的指令系统‌龙 ...

以下是关于英特尔‌RibbonFET架构‌的技术解析，结合最新行业进展整理的核心要点： [hr]🧬 ‌一、架构本质与核心技术‌ [*]‌全环绕栅极（GAA）晶体管‌ RibbonFET是英特尔对GAA晶体管的专属实现，通过‌垂直堆叠的纳米带状硅沟道‌（厚度约1.5-3nm）取代传统FinFET的鳍片结构，实现栅极对沟道四面包裹，显著增强电流控制能 ...

氮化镓激光芯片技术突破综述（2025年6月） 2025年中，氮化镓（GaN）激光芯片领域实现多项里程碑式突破，尤其在国产化、性能提升和产业化方面取得显著进展。以下是基于最新成果的系统总结： 一、关键技术性能突破 [*]‌蓝绿光VCSEL高性能芯片‌：中国科学技术大学团队于2025年6月19日成功研制氮化镓蓝绿光垂直腔面发射激光器 ...

据Tomshardware报道，华为近期已申请“四芯片”(quad-chiplet)封装设计专利，可能用于下代AI加速器升腾910D(Ascend 910D)。报道称，四芯片组设计与NVIDIA Rubin Ultra架构相似，但华为似乎在开发自有先进封装技术。 若技术成功，华为不仅能与台积电一较高下，还可能追上NVIDIA的AI GPU。虽然文件未明确指出是升腾910D，但 ...

出处：半导体行业观察 从电动汽车的高效驱动系统，到光伏发电中的逆变器，再到5G通讯的核心射频模块，以碳化硅为代表的第三代功率半导体相比传统的硅芯片呈现出更为优越的性能。当新能源汽车续航里程突破1000公里、800V高压快充成为标配，碳化硅功率半导体的革命正在加速到来。而更高的功率密度、更优的散热能力、更强的可 ...

[*]据科技日报，硅在支撑智能手机、电脑、电动汽车等产品的半导体技术中一直占据着王者地位，但美国宾夕法尼亚州立大学领导的一个研究团队发现，“硅王”的统治地位可能正在受到挑战。该团队在最新一期《自然》杂志上发表了一项突破性成果：他们首次利用二维材料制造出一台能够执行简单操作的计算机。这项研究标志着向造 ...

出处：IT之家2025-05-19 导读：小米即将发布自主研发的3nm芯片“玄戒O1”，历时4年投入超135亿，成为中国内地3nm芯片设计的重要突破，跻身全球顶尖芯片企业行列。 IT之家 5 月 19 日消息，小米 15 周年战略新品发布会定档 5 月 22 日晚 7 点，届时将带来全新手机 SoC 芯片“玄戒 O1”，其历时 4 年研发，采用第二代 3nm ...