佳能FPA-3000i5+设备性能

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佳能FPA-3000i5+是一款广泛应用于成熟制程半导体制造的i线步进式光刻机，具备高分辨率、高对准精度和良好的工艺兼容性，适用于功率器件、MEMS、传感器及物联网芯片的大批量生产。以下是其核心技术参数：
‌佳能FPA-3000i5+ 技术参数对比表‌

‌类别‌	‌参数项‌	‌具体规格‌
‌曝光系统‌	光源类型	2.0kW 超高压汞灯
	曝光波长	365nm（i-line）
	光强	8000 W/m²
	均匀性	<1.0%
‌投影光学系统‌	缩小倍率	1/5×（5:1）
	数值孔径（NA）	0.45–0.63（可调）
	分辨率	≤0.35μm（满足0.35微米及以上制程）
	焦深	>1.0μm
	图像场偏差	<0.3μm
	畸变	<±0.035μm
	曝光视场尺寸	22×22 mm 或 17×26 mm
‌晶圆处理能力‌	支持晶圆尺寸	4英寸（100mm）至8英寸（200mm）
	定位方式	兼容JEIDA标准的缺口或平边定位
‌对准系统‌	对准方式	双离轴对准 + 佳能原生技术
	晶圆对准精度	平均值 <0.04μm + 3σ
	套刻精度（Overlay）	≤40nm（3σ）
	光栅旋转精度	<±0.01μm
	网格旋转重复性	<0.02μm
‌载物台系统‌	载物台类型	六轴非接触式FLAT（Fast Linear Air-guided Tilting）stage
	步进精度	<0.03μm（3σ）
	标度误差	<±0.5ppm
	正交性	<±0.5ppm
	聚焦/调平重复性	<0.10μm（3σ）
	水准测量重复性	<7ppm（3σ）
‌掩模版（Reticle）‌	支持尺寸	6英寸方形石英掩模
	兼容图案层	2层或3层铬膜图案
‌生产效率与产能‌	吞吐量（典型）	约104片/小时（8英寸晶圆）
	自动化支持	支持盒对盒（Cassette-to-Cassette）操作，配备掩模更换器
‌应用领域‌	主要应用场景	功率器件、MEMS传感器、物联网芯片、成熟逻辑与模拟芯片制造

佳能FPA-3000i5+与主流i线光刻机的横向对比表如下，聚焦于‌365nm i-line波长‌的步进式光刻设备，排除KrF/ArF等非i-line机型，确保技术路径可比性：

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‌i线光刻机核心竞品横向对比表（365nm波长，步进式）

‌类别‌	‌佳能 FPA-3000i5+‌	‌尼康 NSR-I12‌	‌Ulvac i-line 步进式光刻机‌
‌曝光系统‌
- 光源类型	2.0kW 超高压汞灯	2.0kW 超高压汞灯	2.0kW 超高压汞灯（典型）
- 曝光波长	365nm（i-line）	365nm（i-line）	365nm（i-line）
- 光强	8000 W/m²	≈8000 W/m²（行业标准）	7500–8500 W/m²（典型范围）
- 均匀性	<1.0%	<1.2%	<1.5%
‌投影光学系统‌
- 缩小倍率	1/5×（5:1）	1/5×（5:1）	1/5×（5:1）
- 数值孔径（NA）	0.45–0.63（可调）	0.45	0.40–0.50（可选）
- 分辨率	≤0.35μm	≤0.35μm	≤0.40μm
- 焦深	>1.0μm	>1.0μm	>0.8μm
- 曝光视场	22×22 mm 或 17×26 mm	22×22 mm	20×20 mm 或 22×22 mm
‌晶圆处理能力‌
- 支持晶圆尺寸	100mm（4英寸）至200mm（8英寸）	100mm 至 200mm	100mm 至 200mm
- 定位方式	JEIDA 标准缺口/平边	JEIDA 标准缺口/平边	JEIDA 标准缺口/平边
‌对准系统‌
- 对准方式	双离轴对准 + 激光干涉仪	双离轴对准	单轴/双轴对准（视配置）
- 套刻精度（Overlay）	≤40nm（3σ）	≤50nm（3σ）	≤60nm（3σ）
- 晶圆对准精度	<0.04μm（平均值 + 3σ）	<0.05μm（平均值 + 3σ）	<0.06μm（平均值 + 3σ）
‌载物台系统‌
- 载物台类型	六轴非接触式FLAT载物台	六轴气浮载物台	四轴/六轴气浮载物台
- 步进精度	<0.03μm（3σ）	<0.04μm（3σ）	<0.05μm（3σ）
- 聚焦/调平重复性	<0.10μm（3σ）	<0.12μm（3σ）	<0.15μm（3σ）
‌生产效率与产能‌
- 吞吐量（8英寸）	≥104片/小时	≈90–100片/小时	≈80–95片/小时
- 自动化支持	盒对盒（Cassette-to-Cassette）、掩模更换器	盒对盒、手动掩模更换	选配盒对盒、掩模自动更换
‌应用领域‌	功率器件、MEMS、IoT芯片、成熟逻辑芯片	功率器件、MEMS、分立器件、LED	功率器件、传感器、封装前道、教育科研