氮化镓激光芯片技术突破综述（2025年6月）

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氮化镓激光芯片技术突破综述（2025年6月）
2025年中，氮化镓（GaN）激光芯片领域实现多项里程碑式突破，尤其在国产化、性能提升和产业化方面取得显著进展。以下是基于最新成果的系统总结：
一、关键技术性能突破

• ‌蓝绿光VCSEL高性能芯片‌：中国科学技术大学团队于2025年6月19日成功研制氮化镓蓝绿光垂直腔面发射激光器（VCSEL），在室温连续工作状态下实现稳定输出，输出功率和电光转换效率均达国际先进水平，有效解决了散热和电流注入均匀性等核心难题。
• ‌单模激光器世界纪录‌：澳大利亚BluGlass公司在2025年5月展示单模氮化镓激光器，单片输出功率达1250mW，较此前提升67%，创下商业与学术领域公开纪录，显著提升高精度应用潜力。
• ‌量子光源芯片首创‌：电子科技大学周强教授团队于2025年5月发布全球首个氮化镓量子光源芯片，尺寸仅0.14平方毫米，纠缠光子对生成速率达每秒10⁷对（保真度超90%），输出波长覆盖扩展至100纳米，重构量子光源技术范式。
  

二、量产与产业化进展

• ‌百万级量产线投产‌：2025年6月19日，中国科学家宣布全球首个百万级氮化镓蓝光激光芯片量产线正式启动，完全采用国产技术（如“飞秒激光直写+纳米压印”工艺），良率高达99.999%，彻底打破西方20年技术垄断。
• ‌国内企业量产里程碑‌：安徽格恩半导体于2025年2月成为国内首家实现氮化镓激光芯片大规模量产的IDM企业，覆盖蓝光、绿光及紫光系列产品，关键性能指标达国际先进水平，填补国内产业化空白。
• ‌产学研协同加速‌：苏州镓锐芯光等平台于2025年6月推进产业化进程，绿光激光器光功率达1.2瓦（国际领先），蓝光激光器达7.5瓦，加速国产替代。
  

三、创新应用拓展

• ‌量子互联网基础‌：氮化镓量子光源芯片支持多频段传输（如光纤通信1550nm、量子密钥分发800nm），为2026年量子互联网验证铺路，应用于国防、金融加密等高安全场景。
• ‌机器人与自动驾驶‌：国产机器人采用氮化镓驱动器技术，实现高频神经反射（频率超250Hz，延迟<5ms），提升动力系统效能，助力自动驾驶传感器穿透浓雾锁定200米外障碍物。
• ‌多领域场景覆盖‌：技术突破推动激光芯片在显示、通信（如光通信）、医疗成像（如肿瘤筛查）、工业加工等领域的应用落地，市场需求年复合增长率显著提升。
  

这些突破标志着中国在第三代半导体领域的技术自主权增强，已从“跟跑”转向“领跑”，为全球光电子产业注入新动能。