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出处：IT之家2025-05-19 导读：小米即将发布自主研发的3nm芯片“玄戒O1”，历时4年投入超135亿，成为中国内地3nm芯片设计的重要突破，跻身全球顶尖芯片企业行列。 IT之家 5 月 19 日消息，小米 15 周年战略新品发布会定档 5 月 22 日晚 7 点，届时将带来全新手机 SoC 芯片“玄戒 O1”，其历时 4 年研发，采用第二代 3nm ...

‌FinFET全称Fin Field-Effect Transistor：重新定义晶体管，延续摩尔定律的芯片革命‌在智能手机、人工智能芯片和超算核心中，一种名为FinFET的晶体管技术正默默支撑着现代科技的算力跃迁。当传统平面晶体管逼近物理极限时，这项3D立体结构技术让半导体工艺从22nm时代突破至3nm战场。让我们一起揭开这项"鳍式"黑科技的神秘 ...

来源：大半导体产业网 2024-08-02 免责声明：文章归作者所有，转载仅为学习和分享使用，不做任何商业用途！内容如有侵权，请联系管理员删除（15361646105）！ 摘要：日本冲绳科学技术大学院大学称设计了一种极紫外（EUV）光刻技术，能大幅提高能源效率并降低半导体制造成本。 据光明网报道，日前，日本冲绳科学技术 ...

快科技5月25日消息，在今天的国际电路系统研讨会ISCAS 2026上，华为公司董事、半导体业务部总裁何庭波发表了指导半导体产业发展的新原则韬(τ)定律。 随后华为麒麟发文指出，主导半导体产业半个多世纪的摩尔定律正面临物理极限和经济效益双重挑战，晶体管几何缩微放缓、成本红利消退。 对此华为创新性地提出了逻辑折叠（Log ...

快科技5月21日消息，据“九峰山实验室”公众号发文，随着半导体器件尺寸不断缩小，传统互连材料如钨（W）、铜（Cu）在纳米尺度下面临电阻率急剧上升、电迁移失效等严峻挑战。 金属钼（Mo）凭借优异的电学性能和高温稳定性，成为理想的替代方案。在纳米尺度下，Mo的电阻率增幅远低于钨和铜，且可同时用于互连层与栅极，适 ...

快科技5月18日消息，周星工程今日官宣，已首次向全球半导体头部企业交付原子层生长（ALG）设备。 该设备为一套完整的ALG晶体管集成系统，专门用于制造下一代3D垂直堆叠半导体晶体管。受商业保密协议限制，客户名称与供货量暂未披露。 在半导体微型化进程中，电路线宽已缩小至纳米级。晶体管尺寸极限缩小导致漏电流增大，芯 ...

快科技4月9日消息，国防科技大学前沿交叉学科学院研究团队与中国科学院金属研究所联合攻关，在新型高性能二维半导体晶圆级生长和可控掺杂领域取得重要突破。原子级厚度的二维半导体因迁移率高、带隙可调、栅控能力强，被视为后摩尔时代芯片材料的核心候选。然而，传统硅基CMOS器件正逼近物理极限，现有二维半导体材料体系长 ...

快科技4月3日消息，据媒体报道，近日，美国两党议员提出提出《硬件技术多边协调管制法案》（MATCH法案）。该法案针对中国15家相关半导体企业（受管制设施）设置全面管制措施。法案明确将中芯国际、华虹、华为、长鑫存储和长江存储等五家中国半导体企业及其子公司、关联公司列为“受管制设施”，实施全面出口限制。此外，中 ...

[*]快科技3月29日消息，碳化硅是第三代半导体中的核心，此前美国公司Wolfspeed长期占据技术及市场主要份额，现在国内的天成半导体宣布成功研制出14英寸（350mm）碳化硅单晶材料。 [*]天成半导体此前的记录是12英寸，这次的14英寸碳化硅单晶材料又是依托自主研发设备研发出来的，而且有效厚度达到了30毫米。 [*]天成半导体 ...

北大团队突破存储器物理极限！全球首个晶圆级超薄铋基铁电晶体管问世 🚀 在人工智能浪潮席卷全球的今天，芯片性能的每一次跃升都牵动着未来科技的脉搏。北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队，凭借原创性研究，成功研制出全球首个晶圆级超薄、均匀的铋基二维铁电氧化物，并基于此构建出高性能铁电晶体管，彻底突破了传 ...