打破摩尔定律困局!华为半导体韬定律问世:四层面拆解玄机
快科技5月25日消息,在今天的国际电路系统研讨会ISCAS 2026上,华为公司董事、半导体业务部总裁何庭波发表了指导半导体产业发展的新原则韬(τ)定律。
随后华为麒麟发文指出,主导半导体产业半个多世纪的摩尔定律正面临物理极限和经济效益双重挑战,晶体管几何缩微放缓、成本红利消退。
对此华为创新性地提出了逻辑折叠(Log ...
国内首次!九峰山实验室实现8英寸原子层沉积金属钼工艺突破
快科技5月21日消息,据“九峰山实验室”公众号发文,随着半导体器件尺寸不断缩小,传统互连材料如钨(W)、铜(Cu)在纳米尺度下面临电阻率急剧上升、电迁移失效等严峻挑战。
金属钼(Mo)凭借优异的电学性能和高温稳定性,成为理想的替代方案。在纳米尺度下,Mo的电阻率增幅远低于钨和铜,且可同时用于互连层与栅极,适 ...
全球首套!周星工程交付集成式ALG设备:攻克3D堆叠晶体管制造
快科技5月18日消息,周星工程今日官宣,已首次向全球半导体头部企业交付原子层生长(ALG)设备。
该设备为一套完整的ALG晶体管集成系统,专门用于制造下一代3D垂直堆叠半导体晶体管。受商业保密协议限制,客户名称与供货量暂未披露。
在半导体微型化进程中,电路线宽已缩小至纳米级。晶体管尺寸极限缩小导致漏电流增大,芯 ...
提升1000倍!中国半导体研发重要突破
快科技4月9日消息,国防科技大学前沿交叉学科学院研究团队与中国科学院金属研究所联合攻关,在新型高性能二维半导体晶圆级生长和可控掺杂领域取得重要突破。原子级厚度的二维半导体因迁移率高、带隙可调、栅控能力强,被视为后摩尔时代芯片材料的核心候选。然而,传统硅基CMOS器件正逼近物理极限,现有二维半导体材料体系长 ...
美国挥舞芯片大棒!15家中国半导体企业拟被纳入管制清单:中芯国际长鑫存储在列
快科技4月3日消息,据媒体报道,近日,美国两党议员提出提出《硬件技术多边协调管制法案》(MATCH法案)。该法案针对中国15家相关半导体企业(受管制设施)设置全面管制措施。法案明确将中芯国际、华虹、华为、长鑫存储和长江存储等五家中国半导体企业及其子公司、关联公司列为“受管制设施”,实施全面出口限制。此外,中 ...
全球最大尺寸 国产第三代半导体核心技术碳化硅突破14英寸
[*]快科技3月29日消息,碳化硅是第三代半导体中的核心,此前美国公司Wolfspeed长期占据技术及市场主要份额,现在国内的天成半导体宣布成功研制出14英寸(350mm)碳化硅单晶材料。
[*]天成半导体此前的记录是12英寸,这次的14英寸碳化硅单晶材料又是依托自主研发设备研发出来的,而且有效厚度达到了30毫米。
[*]天成半导体 ...
北大团队突破存储器物理极限!全球首个晶圆级超薄铋基铁电晶体管问世 🚀
北大团队突破存储器物理极限!全球首个晶圆级超薄铋基铁电晶体管问世 🚀
在人工智能浪潮席卷全球的今天,芯片性能的每一次跃升都牵动着未来科技的脉搏。北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队,凭借原创性研究,成功研制出全球首个晶圆级超薄、均匀的铋基二维铁电氧化物,并基于此构建出高性能铁电晶体管,彻底突破了传 ...
我国大尺寸半导体材料实现关键突破:首枚12英寸硅外延产品下线
出处:快科技
快科技11月21日消息,据“中国电科”官微发文,电科材料下属国盛公司大尺寸硅外延材料产业化项目取得重大进展,其首枚12英寸硅外延产品成功下线,标志着公司在大尺寸半导体外延材料领域实现了关键技术突破。此次新产品的下线,使电科材料完成了硅外延技术和产品的产业链布局,正式迈入“大尺寸、全系列、高品 ...
北大王玮教授团队在芯片热管理领域取得进展
随着GaN为代表的新一代宽禁带半导体材料的广泛应用,功率器件的性能大幅度提高。然而受限于器件热管理性能,目前GaN功率器件仅能发挥其理论性能的20%~30%。嵌入式微流体冷却技术将微流体集成在器件内部,避免了近乎所有的外部热阻,利用流体的直接对流换热完成热量的高效运输,因而具有强大的散热能力,被认为是未来最有可 ...
中国手机射频前端发展新态势
出处:半导体行业观察手机于20世纪90年代开始兴起,经历了30年左右的发展,发生了天翻地覆的变化。通讯制式上,从最早的大哥大到2G GSM手机,发展至如今5G手机出货量占比已超50%,通讯质量也从早期的2G数字通话,发展到支持高清视频通话和低延迟应用;交互方式上,从物理按键发展到触控屏再到折叠屏;功能上,早期的手机只 ...